Влияние ионов Cd(II) на кристаллизацию и свойства плоских микрокристаллов галогенидов серебра гетероконтактного типа

• Автор: Титов, Федор Вадимович
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 100 с. : ил.

1.1. Основные направления совершенствования галогенидосеребряных фотоматериалов на основе Ткристаллов

1.2. Современные способы получения фотографических эмульсий

с Т кристаллами и механизм формирования ПМК

1.3. Влияние примесных ионов металлов на свойства галогенидов серебра

1.3.1. Влияние ионов Сб II на физические свойства МК АНа

1.3.2. Влияние примесных ионов металлов на фотографические свойства галогенидов серебра

1.3.2.1. Ионы металлов на стадии получения галогенидосеребряных фотоэмульсий

1.3.2.2. Примесные ионы металлов на стадии экспонирования

1.3.2.3. Примесные ионы металлов и процесс химикофотографической

обработки

ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1. Методы изготовления галогенидосеребряных эмульсий
2.1.1. Изготовление мелкозернистых галогенидосеребряных эмульсий
2.1.2. Методика синтеза фотографических эмульсий
с Т и ТЬкристаллами
2.2. Методы исследования микрокристаллов
2.2.1. Турбидиметрический метод определения размера мелкодисперсных микрокристаллов
2.2.2. Электронная микроскопия и дисперсионный анализ
2.2.3. Оптическая микроскопия
2.3. Химическая сенсибилизация
2.4. Сенситометрические испытания
2.5. Потенциометрический метод определения
содержания кадмия
2.6 Методика ускоренного старения фотоматериалов
2.7 Химические вещества и реактивы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА МАССОВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ В ПРИСУТСТВИИ СОЛЕЙ КАДМИЯ
3.1. Определение концентрации примесных ионов кадмия
в эмульсионных МК АНа1
3.2. Взаимодействие соли кадмия с насыщенным раствором
галогенида серебра
3.3. Модификация габитуса микрокристаллов в
присутствии ионов СбН
3.4. Влияние ионов Сс1П на дисперсионные и гранулометрические характеристики Ткристаллов
3.4.1. Влияние ионов С3П на формирование ТЬпкристаллов
при двухструйной кристаллизации
3.4.2. Влияние ионов Сс1И на формирование ТЬпкристаллов
методом перекристаллизации мелкозернистых эмульсий
3.5. Влияние анионов на процесс кристаллизации МК АНа
в присутствии солей кадмия.
ГЛАВА 4. ФОРМИРОВАНИЕ ТКРИСТАЛЛОВ
4.1. Получение хлоридосодержащих Ткристаллов
4.1.1. Синтез мелкодисперсных МК
4.1.2. Синтез Ткристаллов
4.2. Феноменологическая модель образования и роста
плоских кристаллов галогенидов серебра
ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ИОНОВ КАДМИЯ НА ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТКРИСТАЛЛОВ
5.1. Сенситометрические характеристики ТЬпкристаллов АНа1 допированных ионами СМП
5.1.1. Влияние ионов СбН введенных на различных стадиях
синтеза на сенситометрические характеристики ТЬпкристаллов
5.1.2.Влияние концентрации примесных ионов Сс на сенситометрические характеристики ТЬпкристаллов
5.2. Влияние анионов на фотографические свойства
ТЬпкристаллов
5.3. Влияние ионов Сс на фотопроцесс в ТЬпкристаллах
5.4. Влияние ионов СИ на сохраняемость эмульсионных слоев с ТЬпкристаллами гI
5.4. Влияние ионов Сс на процессы химикофотографической
обработки эмульсионных слоев с ТЬпкристаллами
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


ГЛАВА 1. ГЛАВА 2. ГЛАВА 3. ГЛАВА 4. ГЛАВА 5. АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ Несмотря на интенсивное развитие, особенно в последнее десятилетие, электронных средств записи оптической информации, галогенсеребряная фотография продолжает оставаться основным способом получения визуальных изображений. Частотноконтрастные характеристики и соотношение чувствительность разрешающая способность галогенсеребряных фотографических материалов значительно выше, чем у сопоставимых по себестоимости электронных аналогов. Оптимизировать фотографический процесс в галогенсеребряных фотоматериалах возможно путем использования новых типов эмульсионных микрокристаллов галогенидов серебра, позволяющих повысить эффективность фотопроцесса за счет уменьшения рассеяния в эмульсионном слое, локализации скрытого изображения и повышения эффективности процессов химикофотографической обработки материалов. Наибольший эффект достигнут при использовании плоских кристаллов гетероконтактного типа Ткристаллов с латеральными оболочками переменного галогенидного состава ТЬпкристаллов. С использованием таких микрокристаллов изготовлена самая высокочувствительная чернобелая фотопленка Кобак ТМах . Светочувствительность этой пленки при соответствующей химикофотографической обработке может достигать 0 ед АБА. Этот эффект достигается за счет локализации скрытого изображения на границе гетерокоитакта различных галогенидных фаз с последующей концентрацией образования фотолитического серебра. Однако, простое варьирование галогенидног о состава МК не позволяет полностью использовать потенциальные возможности ТЬпсистем, вследствие энергетических затруднений перехода фагоиндуцированных носителей заряда из одной фазы в другую. Преодоление этого препятствия позволило бы существенно повысить уровень светочувствительности фотографических слоев. Одним из возможных способов преодоления энергетического барьера является допирование зоны гетероперехода примесными ионами. Сс посвящен достаточно широкий круг работ. Отмечено, что при введении ионов Сс1И происходит изменение электрофизических и фотографических свойств МК АНа1. Но опубликованные результаты исследований не позволяют сделать однозначных выводов о влиянии ионов С1П на свойства МК АНа1, в частности, ТЬп кристаллов. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Установить закономерности процесса кристаллизации ТЬпкристаллов в присутствии ионов Сс, определить влияние ионов Сс на фотографические свойства исследуемых систем, и на основании полученных результатов предложить способ допирования ТЬпкристаллов ионами Сс , позволяющий оптимизировать эффективность фотопроцесса вТЬп кристаллах . Ьпкристаллов в присутствии ионов С3Н способами контролируемой двухструйной кристаллизации и перекристаллизации особомелкозернистых эмульсий и показано влияние ионов Сс1И на процессы кристаллизации этих систем. Впервые изучено влияние примесных ионов СсИ в ТЬпкрисгаллах xI. Исследованы количественные закономерности этого эффекта. Установлено, что взаимодействие ионов Сс с насыщенным раствором приводит к образованию нерастворимого соединения, которое, адсорбируясь на поверхности ТЬпкристаллов xI. На основании анализа полученных в работе результатов предложена феноменологическая модель образования и роста Ткристаллов , в соответствии с которой формирование Ткристаллов АцНа1 происходит по диффузионному и коалесцентному механизмам роста с преобладанием одного или другого, в зависимости от условий проведения процесса. СбН. Влияние ионов Сс1И на сенситометрические характеристики ТЬп кристаллов . Феноменологическая модель формирования Ткристаллов в процессе массовой кристаллизации. ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ На основании результатов исследований разработан метод изготовления фотографических эмульсий с ТЬпкристаллами , допированными ионами С3Н, обеспечивающий увеличение светочувствительности и коэффициента контрастности в 1, раза по сравнению с ТЬпкристаллами без допирующих примесей при неизменной оптической плотности вуали.