Физико-химическое обоснование формирования макроструктуры электролюминесцентных источников света

• Автор: Бентахар, Тхами
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2000
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 141 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.

1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР.

1.1. Формирование макроструктуры электролюминесцентных источников света ЭЛИС.

1.2. Полимерные композиты для функциональных слоев ЭЛИС

1.2.1. Физикохимические факторы, определяющие выбор

компонентов

1.2.2.1роводящие полимерные композиты.

1.2.3. Диэлектрические полимерные композиты

1.3. Применение термодинамических методов для описания свойств полимеров

2. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ

ДЛЯ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ СВОЙСТВ КОМПОЗИТОВ.
3. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
3.1. Материалы и реактивы
3.2. Методика приготовления пастсуспензий и
функциональных слоев.
3.3. Методика исследования распределения донорноакцепторных центров поверхности функциональных наполнителей.
3.4. Методика реологических исследований.
3.5. Методика исследования седиментационной устойчивости суспензий .
3.6. Методика исследования ИК спектров композитов.
3.7. Методика электронной микроскопии
3. 8. Методика дериватографического исследования композитов
3.9. Методика определения краевого угла смачивания
3 Методика определения диэлектрической проницаемости
3 Методика определения вольтяркостных характеристик ЭЛИС.
3 Методика определения удельного объемного
электрического сопротивления композитов
4. ВЛИЯНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОМПОНЕНТОВ
НА УДАЛЕНИЕ РАСТВОРИТЕЛЯ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ ЭЛИС.
4.1. Исследование взаимодействия компонентов в диэлектрическом
слое методами ИКС и электронной микроскопии.
4.2 Исследование полимерных композитов дериватографическим
методом
4.3. Оптимизация составов диэлектрических функциональных слоев .ЭЛИС
5. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРЫ И ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ В СИСТЕМЕ ПОЛИМЕР НАПОЛНИТЕЛЬ НА ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ ФУНКЦИИ И СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ.
6. ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩИЙ СЛОЙ ЭЛИС и
ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА


При этом внешнее поле уменьшает высоту барьера перехода, а инжекция и излучение возбуждаются сравнительно слабым электрическим полем. Если переход включен в обратном направлении Ц0, то при высокой напряженности поля в рппереходе . Всм начинается быстрый рост обратного тока изза увеличения концентрации носителей под действием туннельных или ударных процессов электрический пробой перехода. При ударных процессах поле увеличивает кинетическую энергию электронов, которые в дальнейшем создают электроннодырочные пары или непосредственно ионизуют решетку, или возбуждают центры свечения. Предпробойная люминесценция может осуществляться не только в рп переходах, выращенных в одном материале, но и в гетеропереходах и в поверхностных барьерах. При этом кристалл может быть изолирован от одного или обоих электродов. Тогда возбуждающее напряжение должно быть переменным. Ионизация атомов основного вещества в результате туннелирования электронов происходит в полях напряженностью . Всм, которые могут быть созданы в рппереходах с узкой областью пространственного заряда порядка см. Для ударной ионизации необходимы напряженности 55. Всм. Поэтому такой механизм является основным для рппереходов с шириной э см. Ускоренные носители передают энергию центрам свечения. И V АЕ, соответствующих инжекционному излучению. Поэтому выход люминесценции обратно смещенных переходов увеличивается, если кроме ионизации решетки происходит возбуждение центров свечения, что наблюдается в пленочных и порошковых образцах сульфида цинка, содержащих марганец. Марганец является активатором с наиболее высоким выходом люминесценции при возбуждении ионным ударом. Кроме того, широкая область существования твердых растворов позволяет достигнуть высоких концентраций марганца в решетке сульфида цинка. Люминофоры, активированные медью в интервале 0,0,3 имеют цвет свечения от синего до зеленого. Активирование редкоземельными элементами также позволяет получить различный цвет свечения, однако квантовый выход таких электролюминофоров ниже, чем активированных марганцем. Люминофоры желтооранжевого и красного цвета свечения изготавливают на основе цинккадмийсульфидселенидов, активируя их медью и галлием. Свечение электролюминофоров может быть вызвано также переходом электронов из объема на поверхностные уровни 2. Источники света большой площади можно получить с использованием тонких слоев 0,5. При возбуждении переменным напряжением слой люминофора изолируют от электродов тонкими слоями диэлектрика, т. ЭЛК. Схема такого источника приводится на рис. Рис. Широкое развертывание производства ЭЛК на основе твердых растворов замещения 2п, Сс1, Б, Бе в х годах было связано с возможностью получения светящихся поверхностей большой площади при толщине 2. Режим возбуждения ЭЛК, как правило, стандартный 0 В, 1 кГц. Начальная яркость . Подложками для ЭЛК могут быть стекло, металл или полимерный материал. Во второй половине х годов началось производство ЭЛК на стеклянных подложках с яркостью несколько тысяч кдм2 и сроком службы . США и Швейцарии появились первые промышленные образцы гибких ЭЛК ГЭЛИС для подсветки жидкокристаллических дисплеев, подложкой для которых служит полимерная пленка 3. Новый этап развития электролюминесцентных излучающих структур связан с разработкой технологии длинномерных ГЭЛИС нитевидных круглого сечения и шюских лент, которые не имеют прозрачного электрода. Основой этих ГЭЛИС является система металлических проводников с диэлектрическим покрытием. Люминофорнодиэлектрический слой внедрен в углубления рельефа поверхности, образованной проводниками. В табл. Для создания ЭЛИС на гибкой полимерной подложке с порошковым люминофором необходимо оптимизировать состав, структуру и технологию изготовления функциональных и вспомогательных слоев. Излучающий слой. Порошковые электролюминофоры на основе легированного сульфида цинка обладают высокой яркостью свечения. Б имеет ширину запрещенной зоны ЛЕ 3,7 эВ и содержит малое число центров тушения люминесценции. Особенностью электролюминофоров по сравнению с фотолюминофорами является введение повышенного содержания меди.