Термохимические свойства сложных оксидов многокомпонентной системы Hg-Ba-Ca-Cu-O

• Автор: Плешакова, Татьяна Олеговна
• Шифр специальности: 02.00.04
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 130 с. : ил.

1.1 Историческая справка об открытии явления сверхпроводимости.

1.2 Основные фазы в системе 0.

1.3 Структура ртутных керамик.

1.4 Термохимические свойства .

1.5 Термохимические свойства ВагСиОзх и Ва2Сиз.

1.6 Термохимические свойства , , .

1.7 Термохимические свойства .

1.8 Термохимические свойства 2.

Глава . Синтез и характеристика исследуемых веществ.

Глава Ш. Аппаратура и методика проведении калориметрического эксперимента.

3.1 Устройство калориметрической установки.

3.2 Методика проведения калориметрического эксперимента и обработки
экспериментальных данных.
3.2.1.Непосредственное определение энтальпии изучаемой реакции.
3.2.2.Определение теплового значения калориметра.
3.3 Статистическая обработка результатов эксперимента.
3.4 Проверка надежности работы калориметрической установки
и методики обработки экспериментальных данных.
Глава IV. Стандартные энтальпии образования сложных оксидов в системе .
4.1 Определение энтальпий реакции . и . 1, н НС1. Расчет энтальпии перехода I. и i8.i5 i
4.2 Определение энтальпии реакции 2 с 1, н НС1.
4.3 Определение энтальпии реакций 2 , 0, 0,
с 1, н НС1. Расчет стандартных энтальпий образования , 0, 0, из оксидов и из простых веществ с использованием
системы альтернативных циклов. Оценка парциальной энтальпии растворения кислорода в фазе ОД.
4.4 Определение энтальпий реакций Ва2СиОзх х0, 0, 0, 0, и Ва2Сиз с 1, н НС1. Расчет стандартных энтальпий образования Ва2Сих х0, 0, 0, 0, и Ва2Си5, из оксидов и из простых веществ с использованием системы альтернативных циклов.
4.5 Определение энтальпий реакций МОД МСа, 8г, Ва с 1, н НС1. Расчет стандартных энтальпий образования МОД МСа, 8г, Ва из оксидов и из простых веществ с использованием
системы альтернативных циклов.
4.6 Оценка термодинамической стабильности ОДВа2Си по отношению к возможным фазовым и химическим превращениям.
Основные итоги и выводы.
Список литературы


Во второй главе описаны использованные в работе аппаратура и методика проведения калориметрических измерений. В третьей главе дано описание методов получения исследуемых веществ и их характеристики. В четвертой главе представлены результаты экспериментального определения энтальпии реакции оксида ртути, исследованных керамических фаз с соляной кислотой, а также энтальпия растворения хлорида ртути в соляной кислоте. Рассчитаны энтальпии образования исследованных керамических фаз из оксидов и простых элементов. В этой же главе проведена оценка термодинамической стабильности сверхпроводящей керамики 1Ва2Си8 по отношению к возможным фазовым и химическим превращениям. Глава I. Литературный обзор. Историческая справка об открытии явления сверхпроводимости. Открытие сверхпроводимости феномена, при котором течение электрического тока в материале происходит без заметной диссипации энергии, явилось одним из величайших достижений XX века. Данное явление сопровождается скачкообразным падением электрического сопротивления до нуля при охлаждении ниже критической температуры Тс характерной для конкретного материала. История сверхпроводимости начинается с г. КамерлингОннес, исследовавший температурные свойства ряда металлов, обнаружил, что ртуть, охлажденная до температуры 4К 8,6иС, теряет электрическое сопротивление, т. В дальнейшем были обнаружены сверхпроводящие свойства также у ряда других металлов, некоторых сплавов и интерметаллических соединений. В г. МЬве с ТСК. Дальнейшие попытки повысить Тс успеха не приносили. В сентябре г. Г.Беднорц и А. Мюллер сообщили о получении керамики на основе оксидов меди, лантана и бария Ьа2. ВахСи, которая может переходить в сверхпроводящее состояние при ЗОК 1. Это сообщение дало мощный толчок дальнейшим исследованиям в этой области. Новым, эпохальным этапом в развитии работ по высокотемпературной сверхпроводимости явилось открытие в январе г. Хьюстоне и университета в Хартвилле США керамики из оксида бария, иттрия и меди УВа2Си7. ТсК. К концу г. КеВа2Сиз, где Яе РЗЭ редкоземельный элемент, с ТС0К. Дальнейшая хроника событий такова в январе г. Миеда с сотрудниками 2 синтезировали серию соединений состава Вь8г2Сап. Сипп. ТС8К месяц спустя Шенг и Хермян 3 получили сверхпроводник ТВа2Са2Сию ТС5К наконец, в г. Е.В. Антипов и С. ЬВа2Сап. СипгипЬ6. В настоящее время рекордное значение ТС5К имеет фаза Ва2Са2Си8 , причем при внешнем давлении выше 0 тыс. К 5,6, что лишь на К ниже минимальной температуры, зарегистрированной в природных условиях на поверхности Земли. Параллельно с исследованием слоистых ВТСПкупратов предпринимались попытки создания безмедных сверхпроводников, однако для них до сих пор не удавалось достичь скольконибудь высокой температуры перехода в сверхпроводящее состояние. Наибольшие значения Тс для безмедных проводников К получены для Ва. КхВЮ3 7 и для фазы внедрения на основе фуллерена СвзСбо 8. Таким образом, начиная с г. Россия, США, Япония и Китай фундаментальные исследования кристаллической структуры ВТСП и их физикохимических свойств признаны приоритетным направлением. Однако, несмотря на огромные усилия, затраченные на изучение ВТСП за последние лет на эту тему появилось около 0 публикаций, механизм возникновения и природа сверхпроводимости в различных классах веществ остаются неясными. Тем не менее, по мнению лауреата Нобелевской премии, академика РАН В. Л. Гинзбурга, проблема ВТСП и комнатнотемпературной сверхпроводимости КТСП в ближайшие годы будет возглавлять список особенно важных и интересных проблем современного естествознания. ВТСП купратов в том числе ртутьсодержащих попрежнему остается актуальным. Основные фазы в системе Ва0ВаСи0СиН0Н. Основные фазы в системе ВаОВаСиОС1ъО1, существование которых надежно установлено в настоящее время, приведены на фазовой диаграмме см. Си
Рис. Фазовая диаграмма системы ЬВаСиО. В настоящей работе в указанной системе предполагалось изучить следующие фазы ЬВа2Си Ва2СиОзч, Ва2СиОу, ВаН. Как видно из рис. НВа2СиО. Н существует на пересечении разрезов Ва2Си0зх0 и ВаСиаВаНЕ.