Совместное воздействие хемостимуляторов на термооксидирование арсенида галлия

• Автор: Кострюков, Виктор Федорович
• Шифр специальности: 02.00.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 246 с. : ил.

1.1. Роль поверхности СаАв, зависимость состава и свойств

собственных оксидных слоев от условий их формирования

1.2. Современные методы создания диэлектрических слоев на СаАэ

1.3. Термооксидирование арсенида галлия с участием индивидуаль

ных соединенийхемостимуляторов

1.4. Совместное воздействие хемостимулягоров на термооксидирован ие СаАя ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ ваА8 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ СОВМЕСТНО ВВОДИМЫХ И ПРОСТРАНСТ

ВЕННО РАЗДЕЛЕННЫХ КОМПОЗИЦИИ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

2.1. Характеристика материалов

2.1.1. Арсенид галлия, СаАэ

2.1.2. Оксид свинца II, РЬО

2.1.3. Оксид сурьмы III, 8Ь3

2.1.4. Оксид висмута Ш, Вь
2.1.5. Оксид марганца IV, Мп
2.1.6. Оксид марганца И, МпО
2.1.7. Оксид ванадия V, У5
2.1.8. Оксид хрома VI, СЮ3
2.1.9. Физикохимические взаимодействия между оксидамихемостимуляторами
2.2. Методика термооксидирования ваАБ в присутствии композиций двух оксидовхемостимуляторов
2.2.1 Методика термооксидирования ваАБ в присутствии бинарных композиций систем 8Ь3ВьРЬО, МпМпО РЬО и МпМп0У
з
2.2.2. Методика термооксидирования СаАв в присутствии композиций ок
сидов с участием оксида хрома VI с оксидами свинца и ванадия
2.3. Способ установлении локализации каналов связи между актива
торами при их совместном воздействии на термооксидирование СаАв
2.4. Методика обработки результатов
2.4.1. Формальнокинетическая обработка результатов
2.4.2. Относительные интегральные толщины
2.5. Методы исследования слоев на поверхности СаАв и превращений
в композициях хемостимуляторов
2.5.1. Рентгенофазовый анализ РФА
2.5.2. Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ РСФА
2.5.3. Инфракрасная спектроскопия ИКС
2.5.4. Локальный рентгеноспектральный микроанализ ЛРСМА
2.5.5. Массспектрометрия
2.5.6 Ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия УМРЭС ГЛАВА 3. НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭФФЕКТЫ ПРИ СОВМЕСТНОМ ХЕМОСТИМУЛИРУЮЩЕМ ВОЗДЕЙСТВИИ ОКСИДОВ рЭЛЕМЕНТОВ 1А ПРОЦЕСС ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ СаАв
3.1. Воздействие бинарных композиций 8Ь2ОзВ2Оз, 8Ь2ОзРЬО и
В2ОзРЬО на термооксидирование СаАв
3.2. Хемостимулирующее воздействие тройных композиций системы 8Ь2ОзВ2ОзРЬО на термооксидирование СаАэ
3.3. Природа нелинейных эффектов при совместном воздействии ок
сидов рэлементов на термооксидирование аАв
ГЛАВА 4. ТЕРМООКСИДИРОВАНИЯ аАв ПРИ СОВМЕСТНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ КОМПОЗИЦИЙ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ С УЧА 1 СТИЕМ ОКСИДОВ 1ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМА РЬ0СгУ
ГЛАВА 5. НЕАДДИТИВНОСТЬ СОВМЕСТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
КОМПОЗИЦИИ ХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ С УЧАСТИЕМ ОКСИДА
ОДНОГО И ТОГО ЖЕ ЭЛЕМЕНТА В РАЗЛИЧНЫХ СТЕПЕНЯХ ОКИСЛЕНИЯ
5.1. Термооксидирование СаА в присутствии композиций РЬ0Мп
н У5ЬМп
5.2. Термооксидированис ваАв в присутствии композиций РЬОМпО
и У5Мп
5.3. Композиция оксидов МпМпО как неаддигивный хемосгимуля
тор процесса термооксидирования ваАв
ГЛАВА 6. ОБЛАСТИ ЛОКАЛИЗАЦИИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ МЕЖДО ОКСИДАМИХЕМОСТМУЛЯТОРАМИ ПРИ ТЕРМООКСИДИ 6 РОВАНИИ ваА8 ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ИХ КОМПОЗИЦИЙ
6.1. Локализация каналов связи между соединениямихемостимуляторами при термооксидировании ваАз с участием би 6 нарных композиций оксидов системы 8Ь3ВРЬ
6.2. Локализация связывающих взаимодействий в композициях оксида марганца IV с оксидом свинца П и оксидом ванадия V при их 0 совместном воздействии на термооксидирование ваАв
6.3. Термооксидирование ваАз под воздействием композиций МпО с
РЬО и Уг при их пространственном разделении
ГЛАВА 7. ЗАКОНОМЕРНОСТИ СОВМЕСТНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ ОК
СИДОВХЕМОСТИМУЛЯТОРОВ НА ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ ваАя
7.1. Совместное воздействие оксидовхемостимуляторов, испаряемых из единой композиции, на термооксидирование ваАв
7.2. Совместное воздействие оксидовхемостимуляторов на термооксидирование ваАв при их пространственном разделении
7.3. Аддитивность воздействия композиций 8ЬСаз на термоок
сидирование ваАБ
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРТУРА
ВВЕДЕНИЕ


Первое нанесение относительно толстых толщиной от десятков нанометров до нескольких микрометров диэлектрических слоев при этом формируется гетеропереход полупроводникдиэлектрик, свойства которого во многом зависят от способа создания этого гетероперехода и подготовки поверхности полупроводника в это направление входит пассивация слоем собственного оксида, получаемого такими методами, как термическое или плазменное окисление, анодирование, а в последнее время и эпитаксия, и также пассивация инородным диэлектриком. Второе модификация атомной структуры поверхности чужеродными атомами, в результате которой происходит перестройка электронной структуры поверхности полупроводника, что часто используется и для подготовки поверхности к последующему нанесению диэлектрика. Исходя из этого, при разработке методов, пассивации исследователи пытались найти такой способ модификации поверхности, который бы предотвратил се окисление и сопутствующее окислению дефектообразование. Халькогенидная пассивация модификация атомами серы или селена как один из наиболее современных и широко распространенных методов позволяет осуществлять как химическую, так и электронную пассивацию поверхности. Использование халькогенидной пассивации позволяет существенно уменьшить плотность поверхностных состояний в запрещенной зоне, снизить скорость поверхностной рекомбинации и за счет этого улучшить многие характеристики различных приборов, а также существенно замедлить процессы окисления полупроводниковой поверхности в атмосфере. В отображены два способа халькогенидной пассивации, такие как пассивация из растворов и пассивация из газовой фазы. В первом случае применялись водные растворы сульфида аммония 1. Для осуществления электрохимического осаждения сульфидов на поверхность полупроводника использовали растворы сульфида натрия в этиленгликоле. В процессах газовой пассивации изучалась адсорбция различных молекул на свежеприготовленных полупроводниковых подложках. Так, в качестве подготовки поверхности ОаАБ для газовой пассивации авторы использовали облучение полупроводника эксимерным АгРлазером в условиях сверхвысокого вакуума. Сразу после этого поверхность полупроводника обрабатывалась также при облучении этим лазером в атмосфере НгБЛЬ. Как подготовка поверхности, так и ее обработка проводились при комнатной температуре. Проблему снижения плотности поверхностных электронных состояний также решают, обрабатывая поверхность ваЛэ парами селена. СаАядо и после кратковременной обработки в парах селена. Выявлено, что после обработки поверхность ОаАБ стала более сглаженной, и отчетливо стали видны некие упорядоченные образования островкового типа, ориентированные в направлении 1. Авторы предполагают, что эти образования имеют димероподобную структуру и являются результатом реакции обмена ЭеАБ в поверхностных димерах. Влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность ваАя, исследовано авторами . Показано, что введение халькогенидов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Результат действия атомов серы и селена зависит от материала диэлектрика. Введение атомов халькогенов серы и селена в приповерхностную область ваАя осуществлялось путем выращивания пленки анодного оксида с добавкой в электролит соли халькогена. Анодное окисление проводилось с использованием электролита, состоящего из водного раствора нитрата аммония 2,5 гл и этиленгликоля в соотношении . Толщина анодного оксида для всех образцов была одинаковой 0 нм. На поверхность ОаАБ, содержащего атомы серы селена, наносили пленку рабочего диэлектрика БЮг, ВЫ, ХЫУ. С. В этой работе сделана попытка установить связь между материалом диэлектрика, морфологией изолирующих покрытий и электрическими характеристиками структур металлдиэлектрикваАя. Проведенные исследования показали, что при нанесении на пластину ваАя тонкой диэлектрической пленки на поверхности последней возникает островковая периодическая мезаструктура, проявляющаяся в виде гофра. Введение атомов 8 и 8е в приповерхностную область ваЛБ приводит к выравниванию рельефа поверхностных пленок 8Ю3 и хЫу8Ю2 и снижению плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводникдиэлектрик.