Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия
- Автор:
Дорофеев, Виталий Витальевич
- Шифр специальности:
02.00.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
116 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Рафинирование висмута и синтез Bi2O3 с использованием отходов производства монокристаллов Bi4Ge3O12 | Новосёлов, Игорь Иванович | 2004 |
| Квантовые точки селенида кадмия, легированного медью | Тананаев, Петр Николаевич | 2010 |
| Взаимодействие ионов и наночастиц биофильных 3d-металлов с протеиназами Candida albicans | Мухаметзянова, Алсу Ринатовна | 2013 |