Взаимодействие BaMO3 (M=Ti, Се, Zr, Hf, Th)с ВТСП-купратами и создание барьерных материалов на основе сложных оксидов бария

• Автор: Винокуров, Антон Леонидович
• Шифр специальности: 02.00.01
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 118 с. : ил

Содержание
1. Введение

2. Литературный обзор

2.1. ВТСПматериалы и методы их получения

2.2. Требования, предъявляемые к частоте ВТСПматериалов, и методы ее контроля

2.3. Существующие барьерные материалы

2.4. Сведения о структуре и свойствах соединений ВаМОз

2.5. Методы синтеза барьерных материалов и их спекание

2.6. Резюме

3. Экспериментальная часть

3.1. Синтез образцов

3.1.1. Получение порошков
3.1.2. Получение керамики
3.1.3. Получение барьерных покрытий
3.2. Методы исследования
4. Результаты и их обсуждение
4.1. Взаимодействие порошков УЛЕ31 и ВаМОз МТ1,НГ, Се, ТЪ ЛЕЬп
4.1.1. МОг ВаМОз У3
4.1.2. ВаТЮз ЛЕВаСи0
4.1.3. ВаПзОз У.ЛЕ3
4.1.4. ВаМОз ЛБ3 М7.г, Се, Нр ЛГНо, Ьа, 1
4.1.5. Выбор объектов для дальнейшего исследования
4.2. Получение высокоплотной керамики на основе ВаМОз
4.2.1. Получение порошков в активной форме
4.2.2. Спекание порошков и получение плотной керамики
4.2.3. Влияние добавок при спекании
4.2.4. Получение толстопленочных барьерных покрытий
4.3. Взаимодействие керамических материалов с расплавами УВаСи0
4.3.1. Химические особенности взаимодействия
4.3.2. Поглощение расплава керамикой
5. Заключение
6. Выводы
7. Список литературы
8. Приложение
1. Введение
Актуальность


Диссертационная работа изложена на 8 страницах машинописного текста, иллюстрирована рисунками и таблицами. Список цитируемой литературы содержит 7 ссылок. Работа состоит из введения, трех глав литературный обзор, экспериментальная часть, результаты и их обсуждение, заключения, выводов, списка цитируемой литературы и приложения. Автор выражает благодарность . Кнотько за помощь в исследовании образцов методами РФА и , М. А. Новожилову за содействие в исследованиях методом X, В. М. Ленникову за помощь в использовании метода плазменной обработки поверхности. Автор признателен Ф. М. Спиридонову, В. И. Путлясву, П. Е. Казину, Ю. Г. Метлину, Е. А. Гудилину. Г.Н. Мачо и Н. П. Кузьминой за обсуждение рабогы и высказанные пожелания. Открытие высокотемпературной сверхпроводимости сложных купратов значительно активизировало исследования в области химии и физики неорганических материалов. Наряду с чисто химическими проблемами получения требуемых соединений нсследова1елям пришлось решать широкий круг задач синтеза, диагностики и практического использования материалов на их основе. Несмотря на интенсивное использование новейших методов современною материаловедения, до сих пор не удается разработать способ получения ВТО 1материалов с характеристиками, которые позволили бы применять их достаточно широко. Известно более типов ВТСПфаз. Наибольший практический интерес среди них в настоящее время представляют фазы семейства x . Сверхпроводник x был открыт одним из первых и наиболее полно изучен. Ответственными за сверхпроводимость в настоящее время считают слои Си она возникает при температуре ниже критической при оптимальном числе носителей заряда. Последние происходит при упорядочении атомов кислорода и вакансий, гегсровалентном легировании, приложении внешнего давления и т. К настоящему моменту разработано огромное число способов получения сверхпроводящих образцов, и их модификаций ряд из них уже нашел применение в промышленности Система 3 предъявляет наибольшие требования к используемым контейнерным барьерным материалам в ходе синтеза, по сравнению с другими классами высокотемпературных сверхпроводников. Так, например, ix и ii. С, а в качестве барьерного материала выступает оболочка ленты, изготовляемая из серебра или никеля. Этот традиционный при получении многих видов конструкционной и функциональной керамики метод имеет ряд существенных недостатков, главный из которых длительность термической обработки вследствие достаточно больших размеров зерен и неоднородности смешения реагентов. При этом наблюдается неконтролируемый рост кристаллитов и. ВТСП приводит к нсвоспроизводимости электрических и магнитных свойств. Большое число исследований в области технологии ВТСП связано с разработкой и применением химических методов гомогенизации при получении порошков I, 2, которые позволяют повысить однородность продукта за счет практически молекулярного уровня смешения компонентов в растворе и его сохранения, в той или иной степени, на последующих стадиях синтеза. Использование химических методов целесообразно и при реализации наиболее перспективных расплавных методов получения керамики, несмотря на существенные тенденции к нивелированию морфологических различий порошков с отличающейся предысторией в результате полного или частичного плавления. Оксидные сверхпроводящие материалы находят широкое применение и в виде пленок. В этом случае становится актуальной проблема выбора подложек, которые должны быть монокристалличсскнми. ВТСПфазы посторонними компонентами, а также недорогими и коммерчески доступными. Получение моно и полнкристалличсских образцов расплавными методами основано на плавлении кунратной шихты и последующем медленном охлаждении расплава. Поскольку сверхпроводящие купраты как минимум трехкомпонетны, то фазовые соотношения в рассматриваемых системах часто весьма сложны рис. Б вторичные фазы. В частности, систему УВаСиО можно рассматривать как четыре. Перитектнческнй распад особенность большинства оксидных сверхпроводников. Процесс роста кристаллов У3 проводят из расплава, обогащенного Ва и Си. УС рис. Рис. М УВаСиО. УО, а, то1. Рис.