Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
- Автор:
Талипов Нияз Хатимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
480
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge | Блошкин, Алексей Александрович | 2011 |
| Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP | Тулашвили, Эремия Вахтангович | 1984 |
| Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния | Трошин, Алексей Валерьевич | 2007 |