Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
- Автор:
Талипов Нияз Хатимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
480
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями», автор — Талипов Нияз Хатимович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. Объем работы: 480. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фононный ветер и перенос экситонов в полупроводнике Cu2 О | Копелевич, Григорий Александрович | 1999 |
| Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами | Солонин, Александр Павлович | 2009 |
| Исследование процесса термической диссоциации нитрида галлия при воздействии инфракрасного лазерного излучения | Вирко, Максим Викторович | 2017 |