Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
- Автор:
Талипов Нияз Хатимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
480
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения | Требунских, Сергей Юрьевич | 2006 |
| Кинетические явления в узкощелевых полупроводниках | Шендеровский, Василий Андреевич | 1983 |
| Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I | Рубиш, Василий Михайлович | 1984 |