Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями
- Автор:
Талипов Нияз Хатимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
480
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями», автор — Талипов Нияз Хатимович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. Объем работы: 480. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов Дмитрий Сергеевич | 2018 |
| Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе | Матвеев, Борис Анатольевич | 2010 |
| Фотодиоды средневолнового ИК диапазона на основе узкозонных полупроводников InAs(Sb), облучаемые со стороны слоя р-типа проводимости | Рыбальченко, Андрей Юрьевич | 2013 |