Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
- Автор:
Нестоклон Михаил Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
250
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах», автор — Нестоклон Михаил Олегович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 250. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов | Ефремов, Артем Александрович | 2005 |
| Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si | Синис, Валерий Павлович | 2002 |
| Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур | Корнилович, Александр Антонович | 2002 |