Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
- Автор:
Нестоклон Михаил Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
250
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах при большом числе заполненных уровней Ландау | Калагин, Александр Константинович | 2008 |
| Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников | Каданцев, Алексей Васильевич | 2006 |
| Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе | Петров, Анатолий Арсеньевич | 2008 |