Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах
- Автор:
Нестоклон Михаил Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
докторская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
250
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффекты атомарной структуры интерфейсов в полупроводниковых наносистемах», автор — Нестоклон Михаил Олегович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 250. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование самоорганизации в структуре поверхности аморфного гидрогенизированного кремния модифицированным методом флуктуационного анализа | Рыбина, Наталья Владимировна | 2013 |
| Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs | Блохин, Сергей Анатольевич | 2006 |
| Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами | Селезнев, Владимир Александрович | 1999 |