Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)
- Автор:
Рогило Дмитрий Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
205
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)», автор — Рогило Дмитрий Игоревич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 205. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Ядерный магнитный резонанс в топологических изоляторах Bi2Te3 и Bi2Se3 | Антоненко, Анастасия Олеговна | 2018 |
| Диффузионный перенос массы по реальной поверхности кристалла | Кагановский, Юрий Семенович | 1983 |
| Фазовые переходы и ориентационные дефекты в тонких свободно подвешенных пленках смектических жидких кристаллов | Долганов, Павел Владимирович | 2003 |