Кинетика двумерно-островкового зарождения при гомоэпитаксиальном росте на поверхности Si(111)
- Автор:
Рогило Дмитрий Игоревич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
205
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование анизотропных обменных взаимодействий в монокристаллах cs2cucl4 и (2,3-dmpyh)2cubr4 методом ЭПР | ФАЙЗУЛЛИН МАРСЕЛЬ АЙРАТОВИЧ | 2016 |
| Электронные свойства поверхностей металлов, полупроводников, диэлектриков со структурными дефектами, адсорбатами и тонкими пленками | Еремеев, Сергей Владимирович | 2009 |
| Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства керамики Y2O3 и кристаллов стабилизированного иттрием диоксида циркония, легированных ионами Er3+ и Tm3+ | Чабушкин, Алексей Николаевич | 2016 |