Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
- Автор:
Арустамян Давид Арсенович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
121
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников | Иванов, Владимир Григорьевич | 1999 |
| Влияние легирования водородом на закономерности формирования субмикрокристаллической структуры и развитие деформационных процессов в сплаве Ti-6Al-4V | Степанова, Екатерина Николаевна | 2009 |
| Квантовая теория каналирования в многокомпонентных системах с дефектами | Кирилюк, Андрей Павлович | 1984 |