Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
- Автор:
Арустамян Давид Арсенович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
121
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей», автор — Арустамян Давид Арсенович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 121. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Мезоскопические эффекты в низкоразмерных сильнокоррелированных бозонных и спиновых системах | Карцев, Пётр Фёдорович | 2004 |
| Влияние политипизма на отражательные свойства частично прозрачных гетерогенных систем в условиях высоких температур | Казакова, Марина Васильевна | 2013 |
| Микроконтактная спектроскопия низкоразмерных соединений с волной зарядовой плотности | Синченко, Александр Андреевич | 2010 |