Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
- Автор:
Арустамян Давид Арсенович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
121
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Низкочастотные релаксационные процессы вблизи структурных фазовых переходов в кристаллических и полимерных сегнетоэлектриках | Малышкина, Инна Александровна | 2000 |
| Формирование углеродных пленок из газовой фазы | Золотухин, Алексей Александрович | 2007 |
| Наноструктурирование металлических материалов интенсивными ионными пучками | Богданов, Николай Юрьевич | 2008 |