Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей
- Автор:
Арустамян Давид Арсенович
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
121
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Кристаллизация и свойства гетероструктур InGaPAs/GaAs (InP), GaP/Si, AlGaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей», автор — Арустамян Давид Арсенович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2017 году. Объем работы: 121. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоперенос электрона при внутрицентровом возбуждении в кристаллах KCL и KBr, активированных двухвалентным иттербием | Ибрагим Зияд Дарвиш | 1999 |
| Фазовые, структурные и магнитные превращения в пленочных системах Fe/Mn и Mn/Ge при вакуумном отжиге | Мацынин, Алексей Александрович | 2014 |
| Микроморфология поверхности и дислокационная структура крупногабаритных оптических кристаллов германия и парателлурита | Иванова, Александра Ивановна | 2015 |