Эффект Шубникова - де Гааза и электрофизические свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2x1), c различным метаморфным буфером и магнитной примесью
- Автор:
Овешников Леонид Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффект Шубникова - де Гааза и электрофизические свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2x1), c различным метаморфным буфером и магнитной примесью», автор — Овешников Леонид Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Радиационно-термическая активация диффузии кислорода в поликристаллических литий-титановых ферритах | Лысенко, Елена Николаевна | 2003 |
| Фазовый состав и тонкая структура интерметаллида Ni3 Al, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза под давлением | Федорищева, Марина Владимировна | 2001 |
| Влияние электромагнитных и температурных полей на контактное плавление в металлических системах с участием висмута | Темукуев, Ибрагим Мукаевич | 2004 |