Эффект Шубникова - де Гааза и электрофизические свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2x1), c различным метаморфным буфером и магнитной примесью
- Автор:
Овешников Леонид Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Эффект Шубникова - де Гааза и электрофизические свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2x1), c различным метаморфным буфером и магнитной примесью», автор — Овешников Леонид Николаевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.07. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Медленные периодические процессы при сжатии образцов горных пород и щелочно-галоидных кристаллов | Надежкин, Михаил Владимирович | 2011 |
| Вихревые структуры и токовое состояние в сверхпроводниках с планарными дефектами и гетероструктурах ферромагнетик - сверхпроводник II рода | Айнбиндер, Роман Михайлович | 2007 |
| Структурные, электрические, фотоэлектрические свойства кристаллов и пленок CuInSe2, полученных методами Бриджмена и двухзонной селенизации | Гаджиев, Тимур Мажлумович | 2017 |