Эффект Шубникова - де Гааза и электрофизические свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2x1), c различным метаморфным буфером и магнитной примесью
- Автор:
Овешников Леонид Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.07
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Нелинейно-оптические свойства и псевдосимметрические особенности некоторых групп кристаллов | Гажулина, Анастасия Петровна | 2016 |
| Механизмы твердофазного гетеровалентного замещения в системах Ga2Se3-GaAs и In2Se3-InAs | Татохина, Яна Александровна | 2003 |
| Фотоиндуцированные изменения магнитострикции в иттрий-железистых гранатах | Воробьева, Наталья Викторовна |