Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs
- Автор:
Гусев, Дмитрий Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Ставрополь
- Количество страниц:
122
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Конструктивно-технологические особенности создания пассивных акустоэлектронных приборов приемо-передающих устройств | Багдасарян, Сергей Александрович | 2005 |
| Технология и свойства пленок оксида цинка для тонкопленочных солнечных модулей | Кашкул Имад Нсаиф Кашкул | 2017 |
| Модификация электрофизических свойств пленки полиэтилентерефталата ионно-плазменным осаждением наноразмерных покрытий на основе углерода | Федорова, Светлана Станиславовна | 2005 |