Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs
- Автор:
Гусев, Дмитрий Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Ставрополь
- Количество страниц:
122
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование нанохарвестера пьезоэлектрической энергии на основе нанокристаллов оксида цинка | Козьмин, Александр Михайлович | 2013 |
| Выращивание и исследование новых кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr#24+#1, для твердотельных лазеров | Субботин, Кирилл Анатольевич | 2007 |
| Технология получения и электрофизические свойства тонких пленок материалов системы Ge-Sb-Te, предназначенных для устройств фазовой памяти | Лазаренко, Петр Иванович | 2014 |