Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs
- Автор:
Гусев, Дмитрий Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Ставрополь
- Количество страниц:
122
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs», автор — Гусев, Дмитрий Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.06. Работа подготовлена в городе Ставрополь в 2015 году. Объем работы: 122. Внутренний код товара: 01008137461. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка научных основ создания и совершенствования программно-аппаратных средств исследования сегнетопьезоматериалов и прогнозирование термочастотного поведения их свойств для применения в датчиках нового поколения | Юрасов, Юрий Игоревич | 2019 |
| Разработка конструктивно-технологических методов производства кремниевых чувствительных элементов давления с повышенной стойкостью к перегрузкам | Ушков, Александр Викторович | 2008 |
| Разработка процесса получения ВТСП пленок для устройств функциональной электроники | Рыжов, Максим Вадимович | 2003 |