Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs
- Автор:
Гусев, Дмитрий Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Ставрополь
- Количество страниц:
122
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование потери устойчивости для нелинейной микромеханической структуры | Эннс, Яков Борисович | 2018 |
| Исследование и разработка процессов термообработки полупроводниковых материалов для специального применения | Шагаров, Борис Анатольевич | 2000 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si | Русаков, Демьян Николаевич | 2003 |