Ионно-лучевое осаждение наноразмерных структур GaInPAs-GaAs
- Автор:
Гусев, Дмитрий Александрович
- Шифр специальности:
05.27.06
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Ставрополь
- Количество страниц:
122
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Технология, свойства и применение кристаллов на основе диоксида циркония | Ломонова, Елена Евгеньевна | 2001 |
| Особенности кинетической ионно-электронной эмиссии с поверхности металлических и полупроводниковых пленочных материалов в процессе ионно-лучевого травления | Сергиенко, Андрей Алексеевич | 2006 |
| Высокочистые координационные соединения 8-оксихинолина с металлами S- и P-элементов для органических светоизлучающих диодных структур | Аккузина, Алина Александровна | 2018 |