Разработка и исследование технологических основ формирования элементов резистивной памяти на основе нанокристаллических пленок оксида цинка для нейроморфных систем
- Автор:
Томинов, Роман Викторович
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Таганрог
- Количество страниц:
150
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние примесей на кинетику и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур | Голубченко, Надежда Владимировна | 2004 |
| Резонансные свойства трехслойных металлических кантилеверов наноразмерной толщины | Уваров, Илья Владимирович | 2013 |
| Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин | Булатов, Андрей Николаевич | 2005 |