Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- Автор:
Тарасова, Елена Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
- Количество страниц:
182
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия», автор — Тарасова, Елена Александровна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в 2017 году. Объем работы: 182. Внутренний код товара: 01008954136. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов | Оболенский, Сергей Владимирович | 2002 |
| Высокопрочные шунтирующий и блокирующий диоды солнечных батарей космических аппаратов | Дидык, Павел Игоревич | 2014 |
| Самоорганизация многослойных металлургических структур для контактных систем суб-100 нм КМОП ИС | Хорин, Иван Анатольевич | 2002 |