Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- Автор:
Тарасова, Елена Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
- Количество страниц:
182
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов формирования по золь-гель технологии сенсорных элементов на основе тонких пленок состава SiOx:SnOy | Плуготаренко, Нина Константиновна | 2006 |
| Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения | Воротилов, Константин Анатольевич | 2000 |
| Диагностические методы оценки надежности полупроводниковых изделий с использованием электростатических разрядов | Адамян, Александр Гариивич | 2003 |