Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- Автор:
Тарасова, Елена Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
- Количество страниц:
182
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Неравновесная населенность мелких примесных состояний в полупроводниках и усиление излучения длинноволнового инфракрасного диапазона | Орлова, Екатерина Евгеньевна | 2002 |
| Прецизионная литография в твердотельной электронике и микроэлектронике | Марголин, Владимир Петрович | 1998 |
| Схемотехническое проектирование прецизионных источников опорного напряжения и линейных стабилизаторов по БиКМОП технологии 0,18 мкм | Сухотерин, Евгений Валерьевич | 2014 |