Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- Автор:
Тарасова, Елена Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
- Количество страниц:
182
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Датчики на поверхностных акустических волнах с управляемой химической селективностью для систем электронного носа и газовой хроматографии | Земляков, Валерий Евгеньевич | 2002 |
| Оптические характеристики полимерных композиционных материалов с квантовыми точками для фотоэлектрических преобразователей и оптоэлектронных устройств хранения данных | Кульбацкий, Дмитрий Михайлович | 2009 |
| Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния | Лепшин, Павел Анатольевич | 1999 |