Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия
- Автор:
Тарасова, Елена Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
- Количество страниц:
182
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
01
22
23
04
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Корпуса изделий мощной СВЧ и силовой твердотельной электроники с теплоотводами из новых материалов с высокой теплопроводностью | Катаев, Сергей Владимирович | 2018 |
| Разработка технологических основ формирования гибких электродов суперконденсаторов на основе полианилина, модифицированного соединениями кремния и циркония | Моисеева, Татьяна Анатольевна | 2016 |
| Физико-химические особенности ионного синтеза систем с нанокристаллами GaN в матрицах Si, Si3N4 и SiO2 для применения в оптоэлектронике | Суродин, Сергей Иванович | 2018 |