Технологические аспекты локальной обработки материалов микро- и наноэлектроники сфокусированным пучком ионов Ga+ и Xe+
- Автор:
Лапин, Дмитрий Геннадьевич
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
113
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование технологических основ процесса фотонностимулированного локального анодного окисления наноструктур на основе Si/SiO2/Ti | Смирнов, Владимир Александрович | 2008 |
| Размерное травление кремния и диоксида кремния высокочастотным газовым тлеющим микроразрядом | Абрамова, Елена Александровна | 2003 |
| Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений | Поляков, Вадим Витальевич | 1995 |