Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
- Автор:
Крюков, Руслан Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
172
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона | Сдобняков, Виктор Владимирович | 2006 |
| Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов | Мартышов, Михаил Николаевич | 2009 |
| Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках | Богословский, Никита Александрович | 2013 |