Физико-химические свойства разбавленного магнитного полупроводника GaMnAs
- Автор:
Крюков, Руслан Николаевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2019
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
172
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами | Филатов, Павел Александрович | 2008 |
| Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации | Шашкин, Илья Сергеевич | 2012 |
| Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP | Абрамкин, Демид Суад | 2012 |