Влияние неравновесных носителей заряда на оптические свойства наноструктур с туннельно-связанными квантовыми ямами и квантовыми точками
- Автор:
Балагула, Роман Михайлович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2017
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
153
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN | Усов, Сергей Олегович | 2016 |
| Поверхностные состояния и особенности электропроводности квазидвумерных электронных слоев в МДП- и гетеротранзисторах | Зеленый, Александр Петрович | 1998 |
| Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда | Уточкин, Иван Геннадьевич | 2005 |