Характеристики эксимерных сред на основе молекул XeCl* и Xe2Cl* с низким содержанием донора CCl4 при возбуждении заряженными частицами высокой энергии

• Автор: Го Цзиньбо
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 144 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОСНОВНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЭНЕРГИИ ЯДЕРНЫХ ЧАСТИЦ И БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ИЗЛУЧЕНИЕ ЭКСИМЕРНЫХ МОЛЕКУЛ
§1 Л.Обзор работ, связанных с исследованиями эксимерных сред и разработкой эксимерных лазеров на галогенидах инертных газов
§ 1.2.Механизмы возбуждения плотных газовых сред ядерными
частицами и быстрыми электронами
§1.3. Основные плазмохимические процессы образования эксимерных
молекул в плотных газовых средах
1.3.1. Релаксационные процессы в буферном газе
§1.4.Кинетическая модель эксимерного лазера
Выводы к главе
ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ИССЛЕДОВАНИЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПЛОТНЫХ ГАЗОВЫХ СРЕД
§2.1. Возбуждение плотных газовых сред импульсным пучком
быстрых электронов и а-частицами
§2.2. Энерговклад в газовую среду, создаваемый пучком электронов
высокой энергии
§2.3. Установка для изучения спектральных, временных и генерационных характеристик эксимерных сред и плотных газовых смесей инертных газов

§2.4.Определение констант плазмохимических процессов, коэффициентов усиления слабого сигнала и пороговых характеристик эксимерных сред
2.4.1. Методика определения спектрального состава и абсолютного выхода излучения газовой смеси
2.4.2. Методика определения энерговклада импульсного пучка быстрых электронов (Ее= 150кэВ) в газовую среду
2.4.3. Измерение временных характеристик и спонтанного излучения, определение констант столкновительного тушенияя
2.4.4. Методика оценки КПД накачки эксимерной среды
Выводы к главе
ГЛАВА 3. ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЭКСИМЕРНЫХ СРЕД НА ОСНОВЕ СМЕСЕЙ КСЕНОНА И КРИПТОНА С ХЛОРСОДЕРЖАЩИМ
ДОНОРОМ
§3.1. Спектральные характеристики газовых сред Хе-ССЦ, Аг - Хе - ССЦ
и Кг-Хе-ССЦ
§3.2. Временные характеристики люминесценции Хе-ССЦ, Аг-Хе-ССЦ
газовых сред
§3.3 . Усилительные характеристики Хе- ССЦ и Аг-Хе-ССЦ газовой среды
3.3.1. Исследование генерационных характеристик В-Х перехода молекулы ХеСІ* ( Аг-Хе-ССЦ, Х= 308 нм )
3.3.2. Исследование генерационных 42Г-12Г, 22Г, 32Г переходов молекулы Хе2С1* (Хе-ССЦ, АХ = 430-^650 нм)
§3.4. Кинетическая модель ХеСГи Хе2сГ эксимерного лазера на основе
Хе-ССЦ газовой среды
§3.5. О механизме образования молекул Хе2С1*

Выводы к главе

ГЛАВА 4. ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГАЗОВЫХ СМЕСЕЙ Ие,
Аг, Хе С МОЛЕКУЛЯРНЫМИ ГАЗАМИ
§ 4.1. Люминесценция чистого Ие. Влияние примесей воздуха и азота
[114]
§ 4.2 Смеси Аг-Хе и Аг-Хе- НгО
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Таблица 1.
Образование отрицательных ионов при диссоциативном прилипании электронов к
молекуле ССЦ[43].
Ион Потенциал образования, эВ Положение пика сечения, эВ Относительный выход реакции
СГ 0.0+0,05 0,0+0,05 1
< 0,3 0,75+0,

СІЇ 0,6+0,1 1,1+0
5,0+0,
ССІ2 0,9+0,1 1,65+0,1 0,
4,7+0,1 6,0+0,
СС1з 0,5+0,1 1,3+0,1
Выход ионов С12" максимален при энергии электронов 1,3 эВ. Поперечное сечение образования ионов СС12' имеет слабый максимум при 1,7 эВ и в 10 раз более сильный максимум - при 6 эВ. Однако это сечение в 16 раз меньше сечения образования ионов С12"при энергии 1,3 эВ[44].
д) Ион-ионная рекомбинация.
Отрицательно и положительно заряженные ионы нейтрализуются при столкновениях
Х++ У" -» Х* + У + ДЕ (1.47)
Выделяющаяся энергия рекомбинации АЕ расходуется на возбуждение одной из частиц или переходит в кинетическую энергию их разлета. При