Исследование влияния характера связи на структуру и ионно-электронный перенос в низкоразмерных соединениях CuCr1-x V x S2 (ОK|

• Автор: Габитов, Эльвир Венерович
• Шифр специальности: 01.04.14
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1998
• Место защиты: Уфа
• Количество страниц: 127 с. : ил.

Введение
СОДЕРЖАНИЕ

I. Обзор литературных данных по структуре и физико -химическим свойствам соединений МСгХ2 и М>3Х4 (М - Си, Аё; X - Б, ве, Те)
1.1. Структура слоистых дихалькогенидов переходных и
тяжелых металлов
1.2. Кристаллическая структура соединений МСгХ2
1.3. Теоретические модели описания ионного переноса в суперион-ных проводниках
1.4. Ионный и электронный перенос в соединениях МСгХ2
1.5. Кристаллическая структура соединений №э3Х4 (Х-8,8е.Те)
1.6. Электрофизические свойства соединений №>3X4
II. Синтез соединений СиСг1.хУх82 (0<х<0.3) и Ах1ЧЬ38е4 (А-Н,Си). Методика экспериментальных исследований
2.1. Синтез соединений СиСг|.хУх82 и рентгеновский фазовый
анализ
2.2. Синтез соединений АхХЬ38е4 (А-Н,Си)
2.3. Методика рентгеноструктурных исследований
2.3.1. Методика расчета относительных интегральных интенсивностей
2.4. Методика исследования магнитной восприимчивости слабомагнитных веществ
2.5. Методика измерения ионной и электронной проводимости
2.5.1.Экспериментальная установка для исследований ионного
переноса
III. Исследование кристаллической структуры и ионно-электронного переноса в системе СиСгі_хУх82
3.1. Исследование кристаллической структуры соединений СиСгьхУА
3.2. Исследование природы химической связи в соединениях СиСгУг методом изучения магнитной восприимчивости
3.3. Исследование ионной проводимости в системе СиСгі_хУх82
3.4. Исследование электрохимической ячейки С|Си|СиВг|СиСгі.хУх82
3.5. Исследование ионной термо-э.д.с. в системе СиСгі_хУх82
3.6. Исследование электронной проводимости и термо-э.д.с.
системы СиСг].хУх82
IV. Исследование кристаллической структуры и электрофизических свойств соединений Ах]ЧЬ38е4 (А-Н,Си)
4.1. Исследование структурных особенностей №>з8е4
4.2. Исследование фазовых соотношений в системе СихЫЬ38е4
4.3. Исследование структуры и электронной проводимости соединения №>з8е4
4.4. Исследование структуры и электронной проводимости соединений НхЫЬ38е4
Заключение
Литература

Введение
Актуальность проблемы. Явление быстрого ионного переноса в твердых телах представляет собой одну из фундаментальных проблем физики конденсированного состояния. Научный интерес к этому явлению обусловлен его уникальностью и необычностью. Данная проблема тесно переплетается также и с проблемой биологии, связанной с изучением механизмов переноса различных ионов через мембраны. С практической точки зрения проблема быстрого ионного переноса в твердых телах является актуальной задачей энергетики и материаловедения в связи с созданием топливных элементов, энергоемких источников тока, датчиков состава и т.д. Современное состояние исследований в этой области характеризуется систематизацией экспериментальных данных и разработкой различных модельных представлений. Анализ состояния проблемы показывает, что явление быстрого ионного переноса в реальных твердых телах носит сложный характер. При определении параметров переноса важную роль играют как размеры и заряд подвижного иона, так и характер связи атомов и особенности кристаллического строения. Сложность изучаемого явления требует проведения экспериментальных и модельных исследований в соединениях с относительно простой структурой (квазиодномерные и квазидвумерные соединения).
В связи с вышеизложенным в данной работе в качестве объектов исследований выбраны квазидвумерные соединения СиСг, .ХУХ82 (0<х<0.3) и квазиодномерные соединения Ах1ЧЬ38е4 (А - Н, Си).
Соединения СиСг1_хУх82 получены путем изоморфного замещения атомов Сг атомами V из медного дихалькогенида хрома СиСгЗг- Соединение СиСг82 имеет слоистую структуру, состоящую из чередующихся слоев -8-Сг-8-Си-8-Сг-8-, перпендикулярных гексагональной оси "с" [1]. Счита-

скую температуру перехода в сверхпроводящее состояние Тс. Так у Ко.аЫЬб88 Тс = 7.3 К по сравнению с 4.0 К для