Резистивное состояние и неравновесные эффекты в узких сверхпроводящих пленках

• Автор: Водолазов, Денис Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2015
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 236 с. : ил.

Содержание
Введение. Общая характеристика работы
Актуальность темы исследования
Степень разработанности темы исследования
Цели и задачи
Научная новизна
Теоретическая и практическая значимость работы
Методология и методы исследования
Положения, выносимые на защиту
Степень достоверности и апробация работы
Личный вклад автора
Объем и структура диссертации
1 Динамика сверхпроводящего параметра порядка в ’грязных’ сверхпроводящих мостиках и кольцах. Локальное приближение
1.1 Уравнения, описывающие динамику сверхпроводящего параметра порядка в ’грязных’ сверхпроводниках в окрестности критической температуры
1.2 Динамика сверхпроводящего параметра порядка при переходах между метастабильными состояниями в однородном сверхпроводящем кольце
1.3 Особенности изменения завихренности в неоднородном сверхпроводящем кольце субмикронного радиуса
1.4 Зависимость гистерезиса вольтамперной характеристики сверхпроводящего мостика от его длины
1.5 Процесс проскальзывания фазы в мостиках конечной длины в режиме приложенного напряжения
1.6 Процесс проскальзывания фазы в мостиках конечной длины в присутствии низкочастотного электромагнитного излучения
1.7 Влияние магнитного поля на критические токи процесса проскальзывания фазы

2 Трансформация движущейся решетки вихрей Абрикосова, вызванная неравновесными эффектами
3 Диодный эффект и неравновесные эффекты в холловском сверхпроводящем мостике
3.1 Нелокальный отклик и диодный эффект в сверхпроводящем холловском мостике
3.2 Влияние неравновесных эффектов на нелокальный отклик в холловском мостике
4 Стационарные состояния квазиодномерного сверхпроводящего мостика, ограниченного нормальными ’берегами’, в режиме приложенного напряжения
4.1 Симметричные и асимметричные состояния в сверхпроводящем мостике, соединенном с нормальными ’берегами’
4.2 Изменение критического тока сверхпроводящего мостика при переключении сверхпроводящих ’берегов’ в нормальное состояние
5 Пороговые (седловые) флуктуации в узких сверхпроводящих пленках
5.1 Пороговые флуктуации в узких сверхпроводящих пленках в нулевом магнитном поле
5.2 Вихревой механизм отрицательного магнитосопротивления узких сверхпроводящих пленок
6 Фотоиндуцированное рождение пары вихрь-антивихрь в токонесущей узкой сверхпроводящей пленке
6.1 Модифицированная модель ’горячего’ пятна
6.2 Критические токи 1ртг и 1разз узких сверхпроводящих пленок с ’горячим’ пятном, локализованным в центре пленки
6.3 Зависимость критического тока 1разз от энергии, требуемой для создания ’горячего’ пятна. Сравнение с экспериментом

Заключение
Список цитированной литературы Список публикаций по теме диссертации

Рис. 5. Зависимость от параметра и начального времени подавления 40 (кривые 1,2), времени релаксации т|д| (кривые 3,4 - в численных расчетах Т|д| было определено как время необходимое для изменения Дт,„/Де, от 0.4 до 0 при первом проскальзывании фазы) и времени изменения разности фаз тфф (кривые 5,6 - определенно из численных расчетов как время между первым и вторым проскальзыванием фазы). Точечные (сплошные) кривые соответствуют кольцу с радиусом Я = 10£ (15£). Пунктирная кривая соответствует времени релаксации зарядового дисбаланса (полученного из соотношения тц/го = 5.79Ад/£2) На вставке показана зависимость т$ф от радиуса кольца для различных значений и.
вывод, что Тфф после каждого проскальзывания фазы будет увеличиваться на ~ £/Д (по крайней мере для колец большого радиуса Д £ и для первых проскальзываний фазы). Поведение близкое к этому показано на вставке к рис. 5 (интересно отметить, что в отличии от т^ф, время Г|д| практически не зависит от радиуса кольца).
На основании этих результатов можно сделать следующее заключение: когда период осцилляций (время изменения разности фаз сверхпроводящего параметра порядка) становится порядка или больше чем Т|д|, то следующее проскальзывание фазы становится невозможным.
Необходимо отметить, что полученный выше результат существенно зависит от наличия электрического потенциала и необходимости решения уравнения сНу? = 0. Был проведен численный эксперимент, в котором член с <р был опущен в ур. 1.13 и