Моделирование резонансных явлений вблизи краев поглощения в условиях отражения рентгеновского синхротронного излучения от многослойных структур

• Автор: Репченко, Юрий Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.07, 05.13.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2014
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 166 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

Глава Е РЕНТГЕНОВСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ

В ИССЛЕДОВАНИЯХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК

§1. Тонкая структура рентгеновского поглощения вблизи краёв.

Исследования электронной структуры атомов в среде

§ 2. Рентгеновский круговой дихроизм в окрестности краев

поглощения. Новая информация в теории магнетизма

§ 3. Рентгеновская рефлектометрия: структурные и магнитные

исследования

§ 4. Метод стоячих рентгеновских волн в условиях зеркального

отражения
§ 5. Методы восстановление компонент тензора восприимчивости
§ 6. Теория магнитной рентгеновской рефлектометрии
Глава II. КИНЕМАТИЧЕСКИЙ ПРЕДЕЛ В ТЕОРИИ РЕФЛЕКТОМЕРИИ
§ 1. Скалярный случай
§ 2. Матричные рекуррентные соотношения
§ 3. Кинематическая формула для матричного коэффициента отражения в случае планарной намагниченности слоев и ее
обощение
§ 4. Анализ пределов применимости кинематической теории отражения
в анизотропном случае при разных упрощениях
Основные результаты и выводы Главы II:

Глава III. ПРОБЛЕМЫ ИНТЕРПРЕТАЦИИ СПЕКТРОВ ХАИЕБ, ИЗМЕРЕН-НЫХ С ПОМОЩЬЮ ТЕУ ПРИ РАЗНЫХ УГЛАХ СКОЛЬЖЕНИЯ
§ 1. Влияние оптических эффектов на форму спектров ТЕУ ХАЫЕЬ
§ 2. Интерпретация спектра ТЕУ ХАИЕЬ для плёнки Оа1пР
Основные результаты и выводы Главы III:
Глава IV. РЕЗКО АСИММЕТРИЧНАЯ ДИФРАКЦИЯ КАК МЕТОД ОПРЕДЕЛЕНИЯ МАГНИТООПТИЧЕСКИХ КОНСТАНТ ДЛЯ РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ВБЛИЗИ КРАЕВ ПОГЛОЩЕНИЯ
§ 1. Интерпретация аномальных всплесков интенсивности на кривых
выхода флуоресцентного излучения от плёнки УГе
§ 2. Теория резко асимметричной дифракции. Кинематическое
приближение
§ 3. Динамическая теория резко асимметричной дифракции в общем
некомпланарном случае
§ 4. Динамическая теория резко асимметричной дифракции в
компланарном случае
§ 5. Моделирование спектральной зависимости положения максимума дифракционного отражения в условия резко ассиметричной
дифракции
Основные результаты Главы IV:
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ЦИТИРУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРА

ВВЕДЕНИЕ
Актуальность темы
Технологический прогресс активно стимулирует поиск новых материалов для полупроводниковой промышленности, спинтроники, магнетоэлектроники, рентгеновской оптики. Одним из направлений развития нанотехнологии является создание ультратонких многослойных
наноструктур, которые проявляют ферромагнитные, антиферромагнитные, волноводные, магниторезистивные, магнитоэлектрические,
магнитооптические, сверхпроводящие или другие важные свойства. Эффекты гигантского магнетосопротивления, аномального магнитоотражения и туннельного магнетосопротивления, имеющие место в магнитоупорядоченных многослойных структурах, весьма чувствительны к структурным параметрам их отдельных нанослоев: толщинам, однородности, качеству интерфейсов, межслойной интердиффузии отдельных элементов и т.д., - поэтому важную роль в изучения подобных наноструктур играет рентгеновское излучение. Активное использование синхротронных
источников излучения значительно расширило возможности рентгеновских исследований, благодаря высокой яркости источника, простоте подстройки длины волны излучения к краям поглощения отдельных элементов, созданию поляризаторов излучения, развитию техники детектирования. Па
синхротронах, кроме совершенствования дифракционных и интерферометрических методов, интенсивно развивается рентгеновская спектроскопия поглощения вблизи краев поглощения (XANES - Х-гау Absorption Near Edge Structure и XMCD - X-ray Magnetic Circular Dichroism), чувствительная к состояниям внешних электронных оболочек резонансных атомов и позволяющая изучать электронную структуру, химические связи, симметрию ближайшего окружения и, что наиболее привлекательно, магнитную структуру, селективно по элементам. В сочетании с рефлектометрическими или дифракционными методами эти исследования
брэгговского пика и минимум на заднем фронте. Если атом Ее будет диффундировать к интерфейсам с РЕ то максимум интенсивности флуоресценции будет смещаться по углу. Измеряя кривые выхода Ее-Ка флуоресцентного излучения, можно определить направления миграции примесных атомов Ее.
Рис 1.4.2. а) Иллюстрация формирования пучностей стоячих рентгеновских волн в периодическом образі{Є в сопоставлении с пиком брэгговской дифракции первого порядка, б) Вариации кривых выхода Ре-Ка флуоресцентного излучения, когда примесные атомы Ре мигрируют внутрь из положения «0.5» в слое С в положение «О» в слое Р(.
В работе [84] были проведены исследования структуры интерфейсов для трехслойных пленок ТЬ/Ее/ТЬ и Сг/Ее/ТЬ, нанесенных на многослойную