Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния

• Автор: Окунев, Алексей Олегович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Новгород
• Количество страниц: 263 с. : ил.

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Современное состояние исследований дефектов кристаллической решетки карбида кремния (обзор литературы)
1.1. Карбид кремния: основные параметры и характеристики, методы выращивания, области применения
1.2. Прямые разрушающие методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников
1.3. Рентгенотопографические методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников
1.4. Применение рентгеновских методов для определения политипного состава карбида кремния
1.5. Исследование дислокаций в кристаллах поляризационно-оптическим методом (метод фотоупругости)
1.6. Дефекты структуры монокристаллического карбида кремния
1.7. Выводы и постановка задач диссертационного исследования...:
ГЛАВА II. Усовершенствование аппаратуры и рентгеновских методик исследования монокристаллического карбида кремния
2.1. Аппаратура для рентгенотопографических
исследований карбида кремния

2.2. Определение политипной принадлежности кристаллов карбида кремния
2.3. Выводы
ГЛАВА III. Моделирование бормановского контраста
интенсивности от дефектов структуры монокристаллического карбида кремния
3.1. Метод расчета бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися
полями деформаций
3.2. Расчет бормановского контраста интенсивности от винтовых дислокаций
3.3. Расчет бормановского контраста интенсивности от краевых дислокаций
3.4. Расчет бормановского контраста интенсивности от квазиточечных дефектов
3.5. Выводы
ГЛАВА IV. Исследование дефектов структуры монокристаллов и
эпитаксиальных слоев карбида кремния
4.1. Дислокационная структура монофисталлического
карбида кремния, выращенного по методу Лели
4.2. Дефекты структуры монофисталлического карбида фемния, выращенного по методу ЛЭТИ
4.3. Исследование дефектов структуры эпитаксиальных
слоев карбида кремния
4.4 Применение метода фотоупругости для исследования
дислокационной структуры карбида кремния
4.5. Исследование квазиточечных дефектов в монофистал-
лах карбида кремния
4.6. Выводы

ГЛАВА V. Практические рекомендации по использованию полученных результатов в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе карбида кремния
5.1. Подготовка монокристаллического карбида кремния
для рентгенотопографических исследований
5.2. Дальнейшее развитие рентгеновских методов и теории бормановского контраста, вытекающее из результатов исследования
5.3 Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЯ
1. Программа расчета розеток эффективной разориен-тации и бормановского контраста интенсивности от дефектов структуры монокристаллического карбида кремния
2. Программа статистической обработки результатов оптимизации режимов резки монокристаллов карбида кремния

оп оп

Рис. 5. Характер области многократных отражений в методе Ланга (а) и в методе АПРЛ (б) по данным работы [63]. Р - фотопластинка, ОП - след отражающей плоскости.