Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Автор:
Юзеева, Наталия Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование методом Монте-Карло физических процессов взаимодействия нерелятивистских электронов с веществом | Борисов, Сергей Сергеевич | 2006 |
| Разработка интегральной микросхемы частотного компаратора для блока управления экономайзером отечественных легковых автомобилей | Горячкин, Юрий Викторович | 2001 |
| Микроэлектронная технология изготовления тонкопленочных датчиков газов | Просвирин, Денис Борисович | 2005 |