Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Автор:
Юзеева, Наталия Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Пирометрические зонды на основе карбида кремния | Карачинов, Дмитрий Владимирович | 2006 |
| Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем | Чжо Ко Вин | 2013 |
| Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP | Сусляков, Юрий Васильевич | 2004 |