Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Автор:
Юзеева, Наталия Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур | Филатов, Дмитрий Олегович | 2013 |
| Неравновесная населенность мелких примесных состояний в полупроводниках и усиление излучения длинноволнового инфракрасного диапазона | Орлова, Екатерина Евгеньевна | 2002 |
| Эффекты взаимодействия между электронными системами в туннельных полупроводниковых структурах | Попов, Владимир Геннадьевич | 2001 |