Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Автор:
Юзеева, Наталия Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP», автор — Юзеева, Наталия Александровна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.27.01. Работа подготовлена в городе Москва в 2013 году. Объем работы: 120 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006597643. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Формирование газоаналитических мультисенсорных микроэлектронных систем на основе термокаталитических и хеморезистивных элементов | Лашков, Андрей Витальевич | 2018 |
| Развитие методов атомно-силовой микроскопии для контроля электрических и электрофизических параметров объектов микроэлектроники | Коровкина, Наталья Михайловна | 2006 |
| Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей | Коваленко, Павел Юрьевич | 2001 |