Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP
- Автор:
Юзеева, Наталия Александровна
- Шифр специальности:
05.27.01
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
120 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка неохлаждаемого болометра на основе пленок окислов ванадия | Маслов, Дмитрий Михайлович | 2015 |
| Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур | Гусев, Евгений Юрьевич | 2009 |
| Исследование и разработка методов и адаптивных интегральных схем обработки сигналов микроэлектромеханических инерциальных датчиков | Белоусов, Егор Олегович | 2017 |