Магнитостатическое взаимодействие низкокоэрцитивных объектов в микроэлектронных устройствах

• Автор: Скиданов, Владимир Александрович
• Шифр специальности: 05.27.01
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 284 с. : ил.

ГЛАВА I. Особенности процессов намагничивания микрообъектов и их применение в электронных устройствах % 1.1. Коэрцитивное намагничивание тонкопленочных аппликаций

1.2. Микроэлектронные ферродатчики магнитного поля

1.3. Развитие конструкций элементов управления ЦМД на основе пермаллоевых аппликаций

1.4. Методы исследования элементной базы каналов продвижения ЦМД

1.5. Проблема сужения ОУР канала продвижения, пересеченного токовыми шинами

1.6. Разработка логических устройств на основе взаимодействия магнитных микрообъектов
ГЛАВА II. Экспериментальные методы исследования процессов ф намагничивания и характеристик взаимодействия магнитных микрообъектов.
2.1. Магнитооптические методы исследования намагничивания микрочастиц и их массивов на основе эффектов Керра и Фарадея
2.2. Определение профиля потенциальной ямы взаимодействия двух взаимно намагничивающих объектов
2.3. Распределение г-компоненты поля размагничивания в окрестности намагниченной аппликации
2.4. Измерение кривых намагничивания аппликаций по изменению величины поля коллапса ЦМД
2.5. Замыкание магнитного потока в аппликациях сложной формы
ГЛАВА III. Управление гистерезисными свойствами магнитных микроэлементов в электронных устройствах
3.1. Влияние размеров и расположения прямоугольных аппликаций
на форму и параметры петли гистерезиса массива аппликаций
3.2. Перезаписываемый-кодоноситель для идентификации объектов
3.3. Запоминающий датчик магнитного поля

3.4. Применение коэрцитивных свойств свойств аппликаций
для измерения слабого магнитного поля
3.5. Бескоэрцитивный линейный магниторезистивный датчик
% магнитного поля
3.6. Магнитомягкие кантилеверы для магнитной силовой микроскопии
3.7. Тонкопленочный датчик для считывания ЦМД
ГЛАВА IV. Управляющие структуры НМД на основе асимметричных шевронов
4.1 Влияние асимметрии аппликаций на характеристики канала
продвижения ЦМД
4.2. Влияние литографического искажения формы шевронов
на характеристики каналов продвижения ЦМД
4.3. Оптимальная форма шеврона для пермаллоевого канала
ф продвижения
4.4. Влияние величины спейсера на характеристики каналов
продвижения ЦМД
4.5. Технология самосовмещения для ЗУ ЦМД с плотностью
записи 4 М/см2
4.6. Оптимизация технологических параметров изготовления ЗУ ЦМД большой емкости по статистическим данным контроля микросхем
ГЛАВА V. Двухслойные управляющие структуры для ЗУ ЦМД
5.1. Двухслойный канал продвижения ЦМД
5.2. Повороты и свертки на основе двухслойных элементов
5.3. Периферийные функциональные узлы ЗУ на основе аппликаций
^ в двух слоях
5.4. Сужение ОУР пересеченного канала продвижения

ГЛАВА VI. Влияние механического напряжения на поведение доменной
структуры в эпитаксиальных Феррит-гранатовых пленках
6.1. Проявления обратного магнитострикционного эффекта в пересеченных каналах продвижения ЦМД
6.2. Механизмы взаимодействия домена с полем неоднородного механического напряжения
6.3. Анизотропные свойства взаимодействия домена с полем механического напряжения в ЭФГП
6.4. Способы управления магнитострикционными эффектами
ГЛАВА VII. Домен-доменное взаимодействие в запоминающих и логических устройствах на ЦМД.
7.1. Влияние формы и расположения аппликаций в каналах
продвижения на домен- доменное взаимодействие
vf 7.2. Повышение надежности ЗУ ЦМД с помощью встроенных
логических узлов
7.3. Логические функции ИЛИ на основе домен-доменного взаимодействия
7.4. Логическая функция И, сумматор на основе домен-доменного взаимодействия
7.5. Общая структурная схема и топология
магнитного нейрокомпьютера
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ (Акты внедрения и использования результатов,
- протоколы измерения образцов)

края напряженной пленки и экспериментально изучили анизотропные свойства взаимодействия доменной границы с областью неоднородного напряжения.
Г.С.Джилл [148] указал на влияние ионно-имплантированного слоя (ИИС) ♦ на поведение ЦМД вблизи края токовой шины. Им получены данные о влиянии
дозы имплантации на характеристики пересеченного канала продвижения.
Зависимость изменения величины поля коллпса ЦМД возле края токовой шины от дозы имплантации, полученная Джиллом, представлена на рис. 1.5.4. В этой работе обнаружено, что приложение поля в плоскости уменьшает глубину модуляции поля смещения в области вблизи края шины. Для уменьшения влияния механического напряжения на продвижение ЦМД рекомендовано увеличение дозы имплантации неона от 2* 10й до величины 3,5-4*1014 Ие+/см2 при энергии имплантируемых ионов равной 100 Кэв. Сцепление доменной границы с краем шины Джиллом не обнаружено, что объяснено ^ релаксацией напряжения в имплантированном слое. При такой величине дозы
значительная часть имплантированного слоя аморфизирована. В неимплантированных ЭФГП Джилл влияние края токовой шины на продвижение ЦМД не обнаружил.
В качестве одного из эффективных технологических средств уменьшения напряжения в ЭФГП считают [149, 150] подбор упругих свойств первого спейсера, разделяющего ЭФГП и слой токовой разводки. Б.Штейн с сотр. [149] предложили использовать в качестве спейсера слой 8Ю2 с высоким модулем Юнга. Г.С.Джилл с сотр., напротив, рекомендуют применять для формирования первого спейсера легко деформируемые материалы и приводят данные о наименьшем сужении ОУР пересеченного канала* продвижения, когда в Ф качестве материала первого спейсера использовался полиимид. Пересеченные
каналы с первым спейсером из БЮг и 51'зК4 в этой работе имелии наибольшее ограничение ОУР сверху.
К.Т.Хорн и Р.О.Швенкер [151], изучая пересеченный канал продвижения из неимплантрованных смежных дисков, заметили усиление ограничения ОУР