+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Элементы помехоустойчивого кодирования нециклического типа субмикронных КМОП оперативных запоминающих устройств

Элементы помехоустойчивого кодирования нециклического типа субмикронных КМОП оперативных запоминающих устройств
  • Автор:

    Петров, Константин Александрович

  • Шифр специальности:

    05.13.05

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2015

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    103 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
"
Список терминов, условных обозначений и сокращений 
1.1. Обзор основных методов помехоустойчивого кодирования для ОЗУ


Оглавление
Оглавление

Список терминов, условных обозначений и сокращений


Введение
Глава 1. Сравнительный анализ кодер-декодеров, исправляющих однократные ошибки, применяемых для повышения сбоеустойчивости оперативных запоминающих устройств

1.1. Обзор основных методов помехоустойчивого кодирования для ОЗУ

1.2. Алгоритмические и схемотехнические особенности кодов и кодер-декодеров

1.3. Моделирование и синтез декодеров


1.4. Тестовая структура ОЗУ 39Кх39 по нормам проектирования 0,25 мкм КМОП КНИ с кодер-декодером Хсяо (39, 32)

1.5. Разработка кодер-декодеров для ОЗУ КЭШ-памяти второго уровня микропроцессора


Выводы
Глава 2. Снижение аппаратурных затрат и повышение быстродействия декодера Хсяо
2.1. Алгоритмические и схемотехнические особенности кодов и кодер-декодеров
2.2. Сравнение вариантов декодеров Хсяо с минимизированными по
составу элементами
Выводы
Глава 3. ОЗУ с кодер-декодерами, исправляющими двукратные смежные ошибки
3.1. Особенности применения помехоустойчивых кодов для исправления двукратных смежных ошибок
3.2. Оптимизация БЕС-ОАЕС кодов по критерию помехоустойчивости

3.3. Моделирование и сравнительный анализ кодер-декодеров БЕС-ПЛЕС
кодов
Выводы
Глава 4. Повышение устойчивости подсистемы динамической памяти микропроцессора к временному функциональному отказу одной из СБИС ДОЗУ
4.1. Технология СШРКПХ
4.2. Методы с использованием помехоустойчивых кодов, исправляющих смежные ошибки
4.3. Сравнительный анализ методов повышения устойчивости к
временному функциональному отказу одной из СБИС ДОЗУ
Выводы
Глава 5. Снижение числа служебных запросов в сбоеустойчивых ДОЗУ с функцией перезаписи данных
5.1. Разработка устройства регенерации данных в ДОЗУ с элементами помехоустойчивого кодирования
5.2. Поведенческое моделирование подсистемы динамической памяти .
Выводы
Заключение
Список использованной литературы

Список терминов, условных обозначений и сокращений
Список сокращений
DAEC double adjacent error correction;
DED double error detection;
SEC single error correction;
SnEC single n-bit error correction;
БИС большая интегральная схема;
БЧХ код Боуза-Чоудхури-Хоквингема
ДОЗУ динамическое оперативное запоминающее устройство;
ЗУ запоминающее устройство;
ИИ ионизирующее излучение;
ис интегральная схема;
КМОП комплементарная структура металл-окисел-полупроводник;
кии структура кремний на изоляторе;
МОП структура металл-окисел-полупроводник;
МП микропроцессор;
ОЗУ оперативное запоминающее устройство;
ОС одиночный сбой;
ояч отдельная ядерная частица;
ПЗУ постоянное запоминающее устройство;
плис программируемая логическая интегральная схема;
по программное обеспечение;
СБИС сверхбольшая интегральная схема;
снк система на кристалле;
СОЗУ статическое оперативное запоминающее устройство;
ТЗЧ тяжелая заряженная частица;
тэ тиристорный эффект;
ЭВМ электронно-вычислительная машина.

Рис. 1.12. Топология ОЗУ с повышенной сбоеустойчивостью к воздействию отдельных ядерных частиц емкостью 8КХ39 разработанная по технологии 0,25 КНИ, с кодером и декодером Хсяо (39, 32)
Рис. 1.13. Схема включения блоков кодирования и декодирования в кэш-памяти второго уровня

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.109, запросов: 967