Новые технологичные СВЧ устройства для перестраиваемых мощных плотноупакованных СВЧ схем и настроечные корпуса для них

• Автор: Овечкин, Роман Михайлович
• Шифр специальности: 05.12.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 150 с. : ил.

Глава 1. СОВРЕМЕННЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ

МИНИАТЮРИЗАЦИИ ГИС СВЧ ДИАПАЗОНА

1Л. Особенности размещения блоков аппаратуры СВЧ на мобильных объектах

1.2. Особенности массогабаритной реализации аппаратуры СВЧ на мобильных объектах специального назначения
1.3. Дополнительные требования к СВЧ аппаратуре, размещаемой на подвижных объектах специального назначения

1.4. АНАЛИЗ ПЕРСПЕКТИВ И СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ТЕХНОЛОГИЙ СОЗДАНИЯ ГИС СВЧ

1.5. АНАЛИЗ СОСТОЯНИЯ ПРОЕКТИРОВАНИЯ КОНСТРУКЦИЙ СОВРЕМЕННЫХ КОМПАКТНЫХ СВЧ ФИЛЬТРОВ ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ

1.5.1. СОЗДАНИЕ КОНСТРУКЦИЙ СВЧ ФИЛЬТРОВ НА ОСНОВЕ ЭЛЕМЕНТОВ ОБЪЕМНЫХ СВЧ СХЕМ

1.5.2. Создание конструкций СВЧ фильтров на

основе элементов копланарных линий

1.5.3. Создание конструкций СВЧ фильтров на

основе элементов микрополосковых линий
1.5.4. Создание конструкций адаптивных СВЧ фильтров

1.6. Анализ состояния проектирования конструкций современных диссипативных элементов ГИС СВЧ диапазона для телекоммуникационных систем
1.7. Анализ состояния проектирования конструкций корпусов ГИС СВЧ диапазона
1.8. Постановка цели и задачи исследования
Глава 2. АЛГОРИТМЫ РАСЧЕТА И МОДЕЛИ СВЧ
УСТРОЙСТВ
2.1. Математическая модель элемента шлейфного фильтра
со связанными шлейфами неравной длины
2.2. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ
ДИССИПАТИВНОГО СВЧ ЭЛЕМЕНТА С ПРОВОДЯЩЕЙ БОКОВОЙ КРОМКОЙ
2.2.1. Математическая модель расчета потерь в ромбовидной диссипативной СВЧ структуре
2.2.2. Тепловой расчет пленочных резистивных структур в ГИС СВЧ
2.3. Математическая модель корпуса ГИС СВЧ, выполняемого по заливочной технологии
2.3.1. Конструкция СВЧ микроблока
2.3.2. Моделирование многослойных
несимметричных полосковых линий на основе метода конечно-разностной аппроксимации уравнения Лапласа
2.3.3. Определение параметров полосковой линии по
ее погонной емкости

2.3.4. Определение погонной емкости линии по восстановленному электрическому полю
Глава 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЭВМ ПРИ ПРОЕКТИРОВАНИИ РАЗРАБОТАННЫХ СВЧ УСТРОЙСТВ
3.1. Использование пакета САПР СВЧ MICROWAVE OFFICE для проектирования узкополосных СВЧ фильтров на связанных шлейфах
3.2. Использование пакета САПР СВЧ MICROWAVE OFFICE для проектирования новых конструкций СВЧ нагрузок и аттенюаторов
3.3. Описание программы определения параметров микрополосковой линии при многослойном заполнении диэлектрика
3.3.1. Методы, ускоряющие решение систем из конечно-разностных уравнений
3.3.2. Алгоритмическая реализация программы Micropolosok
3.3.3. Среда программирования
3.3.4. Описание интерфейса программы Micropolosok
Глава 4. НОВЫЕ КОНСТРУКЦИИ СВЧ ФИЛЬТРОВ НА СВЯЗАННЫХ ШЛЕЙФНЫХ РЕЗОНАТОРАХ
4.1. Технологичный элемент СВЧ фильтра на связанных четвертьволновых резонаторах
4.1.1. Допусковый анализ элемента СВЧ фильтра на связанных четвертьволновых резонаторах
4.2. СВЧ ФИЛЬТР НА ЧЕТВЕРТЬВОЛНОВЫХ РЕЗОНАТОРАХ С РЕЗИСТИВНОЙ СВЯЗЬЮ

|5|2,1]| (дБ)
Рис.2.8 АЧХ СВЧ фильтра (рис.2.7) в зависимости от
сопротивления связи: Я=10 кОм; —А Я=2 кОм;
Є— - Я=800 Ом; —9— - И=200 Ом
Из графиков на рис.2.8 видно, что наилучшее подавление паразитной полосы пропускания, происходит при равенстве сопротивления связи между шлейфами некоторому значению 7?отя. При значениях сопротивления связи больших Я„пт, не происходит полного подавления паразитной полосы пропускания. При значениях сопротивления связи меньших Яопт два раздельных шлейфа начинают работать как один шлейф, и характеристика такого фильтра мало, чем отличается от характеристики одношлейфного фильтра (кривая —©— на рис.2.8), и расширения полосы заграждения практически не происходит. При уменьшении сопротивления связи до нуля, два шлейфа начинают работать как один низкоомный шлейф.
При учете электромагнитной связи между шлейфами необходимо применять модель представленную на рис. 2.9.