Узкополосные сверхпроводниковые фильтры на многосвязных полуволновых параллельных резонаторах

• Автор: Кондратьев, Василий Владимирович
• Шифр специальности: 05.12.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1999
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 138 с.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. ФИЛЬТРЫ НА ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ

1.1. Почему высокотемпературные сверхпроводники могут найти применение в устройствах радиотехники и связи?

1.2. Материалы и технология высокотемпературных сверхпроводников

1.3. Особенности проектирования микрополосковых

линий передачи на сапфире

1.4. Модель поверхностного сопротивления пленки высокотемпературного сверхпроводника

1.5. Микрополосковые фильтры на высокотемпературных сверхпроводниках

1.6. Расчет параметров микрополоскового фильтра

на многосвязных параллельных резонаторах
1.7. Мощностные характеристики фильтров на высокотемпературных сверхпроводниках
1.8. Выводы и постановка задачи
Глава 2. ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ ФИЛЬТРОВ НА МНОГОСВЯЗНЫХ
ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ РЕЗОНАТОРАХ
2.1. Выбор метода расчета параметров микрополоскового фильтра на многосвязных параллельных резонаторах
2.2. Влияние связей между несоседними резонаторами на характеристики фильтра
на многосвязных параллельных резонаторах

2.3. Алгоритм оптимального проектирования фильтра
на многосвязных параллельных резонаторах
2.4. Метода ослабления связей между несоседними резонаторами в фильтре на многосвязных параллельных резонаторах
2.5. Оценка эффективности проектирования фильтров на многосвязных параллельных резонаторах стандартными программами
2.6. Выводы
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ РАЗРАБОТКИ ФИЛЬТРОВ, СВЯЗАННЫЕ С
ПРИМЕНЕНИЕМ ТЕХНОЛОГИИ ПЛЕНОК ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА
З.1 Влияние технологического разброса параметров
на характеристики микрополоскового фильтра
3.2. Преимущества применения сапфира в качестве подложки ВТСП планарных устройств
3.3. Преимущества использования сапфира при проектировании мощных ВТСП устройств
3.4. Особенности, связанные с проектированием фильтров на многосвязных параллельных резонаторах на слабо анизотропной подложке
3.5. Особенности проектирования ВТСП фильтров, связанные с природой ВТСП материалов
3.6. Выводы

ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ МОЩНЫХ МИКРОПОЛОСКОВЫХ ФИЛЬТРОВ НА ПЛЕНКАХ
ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО СВЕРХПРОВОДНИКА
4.1. Конфигурации разработанных фильтров
и условия измерения их характеристик
4.2. Исследования мощностных характеристик микрополосковых ВТСП фильтров на многосвязных параллельных резонаторах
4.3. Увеличение порога нелинейности фильтров
с Т-сочленением в качестве элемента связи с внешней цепью
4.4. Влияние пуль саций в полосе пропускания на мощностные характеристики ВТСП фильтров
4.5. Уменьшение связей между несоседними резонаторами в фильтре на многосвязных параллельных резонаторах за счет изменения его топологии
4.6. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

ВТСП фильтра наблюдается резкое увеличение потерь в полосе пропускания, что соответствует увеличению поверхностного сопротивления под действием плотности тока, в данной работе определяется как порог нелинейности этого ВТСП фильтра. Таким образом, необходимо уменьшить зависимость плотности тока от входной мощности. Существует несколько путей уменьшения неравномерного распределения плотности тока в полосковом проводнике: увеличение ширины линии, увеличение волнового сопротивления за счет уменьшения диэлектрической проницаемости подложки или за счет увеличения её толщины, а также использование более толстых пленок. Для того чтобы проиллюстрировать эти выводы, рассмотрим идеальный фильтр, состоящий из резонаторов с нагруженной добротностью Q^ . Для простоты анализа предполагается, что фильтр работает в линейном режиме. Тогда энергия, запасенная в одном резонаторе, и мощность проходящая через него за один период соответственно будут [48]:
где п - число полуволн на длине резонатора, f - частота. Амплитуда тока стоячей волны в резонаторе равна:
передачи на толстой подложке с низкой диэлектрической постоянной улучшает способность ВТСП микрополосковых фильтров выдерживать высокий уровень мощности входного сигнала.
(1.19)
Поскольку
использование более широких линий