+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Комплексная миниатюризация компонентов и устройств приемо-передающих модулей СВЧ диапазона

  • Автор:

    Бабунько, Сергей Анатольевич

  • Шифр специальности:

    05.12.07

  • Научная степень:

    Кандидатская

  • Год защиты:

    2006

  • Место защиты:

    Нижний Новгород

  • Количество страниц:

    229 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

Благодарность
Список используемых сокращений
Глава 1. Основные направления миниатюризации устройств
1.1 Введение
1.2 Виды миниатюризации СВЧ приборов в зависимости
от технологической базы и способов производства
1.3 Основные проблемы миниатюризации СВЧ устройств
и пути их решения
1.4 Использование систем автоматизированного проектирования
при разработке приборов СВЧ
1.5 Линии передачи как основа построения МИС
1.6 Выводы
Глава 2. Базовые конструкции полосовых фильтров различных частотных диапазонов
2.1 Введение
2.2 Полосовые фильтры диапазона ОВЧ
на индуктивно связанных катушках
2.3 Полосовые фильтры диапазона УВЧ
на связанных полосковых линиях
2.4 Полосовые фильтры в монолитно-интегральном исполнении
диапазонов СВЧ и КВЧ
2.5 Выводы

Глава 3. Расчет и конструирование самоуправляемых защитных устройств диапазона СВЧ
3.1 Введение
3.2 Принципы построения квазиактивных защитных устройств СВЧ
3.3 Расчет квазиактивного самоуправляемого защитного устройства
3.4 Разработка конструкции квазиактивного ЗУ и ее экспериментальное
исследование
3.5 Монолитно-интегральная схема квазиактивного
самоуправляемого ЗУ
3.6 Интегральная полупроводниковая структура как самоуправляемый
ограничитель мощности
3.7 Выводы
Глава 4. Построение синтезаторов частот на основе управляемых фазовращателей
4.1 Введение
4.2 Синтезатор частот на двухпозиционных фазовращателях
4.3 Синтезатор частот на плавном фазовращателе
4.4 Выводы
Заключение
Литература
Приложения

Благодарности
Автор выражает глубокую признательность своему научному руководителю доктору технических наук Орлову Олегу Сергеевичу за содействие и консультации при выполнении экспериментов, помощь и поддержку в написании диссертации и постоянное внимание к ходу выполнения работы.
Также автор благодарит доктора технических наук Белова Юрия Георгиевича за существенный вклад в окончательное оформление рукописи диссертации и многочисленные ценные замечания, которые позволили выполнить работу на должном научно-техническом уровне и подчеркнуть ее значимость.

> хорошая теплопроводность;
> соответствие температурного коэффициента линейного расширения подложек и напыленных на них пленок;
> устойчивость к механическим воздействиям;
> низкая стоимость.
В настоящее время в качестве наиболее перспективного материала подложки для производства МИС СВЧ и КВЧ рассматривается арсенид галлия [5, 61, 95]. Сравнение электрофизических характеристик
полуизолирующего арсенида галлия, например, с кварцем и поликором, показывает, что арсенид галлия уступает только по стоимости и величине диэлектрических потерь. Теплопроводность арсенида галлия выше, чем у кварца в 4-7 раз, по температурному коэффициенту линейного расширения арсенид галлия значительно ближе к металлам, используемым при создании МИС. Это свидетельствует о целесообразности широкого использования арсенида галлия в качестве подложки для создания МИС в СВЧ и КВЧ диапазонах.
Наиболее важными характеристиками передающих линий МИС СВЧ являются:
> диапазон рабочих частот и широкополосность;
> абсолютная величина и диапазон изменения волновых сопротивлений;
> коэффициент замедления и дисперсия в рабочей полосе частот;
> погонные потери;
> рассеиваемая мощность;
> возможность изготовления активных и пассивных элементов в составе линии в МИС;
> коэффициент интеграции, рассмотренный в п. 1.2;

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.121, запросов: 967