Применение метода импедансных сеток к электродинамическому анализу во временной области двумерных моделей неоднородных, в том числе плазменных сред

• Автор: Климов, Константин Николаевич
• Шифр специальности: 05.12.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 245 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
1. Постановка задачи
1.1. Современное состояние вопроса и актуальность темы
1.2. Выбор и обоснование метода исследования
1.3 Основные задачи диссертационной работы
Теоретическая часть
Практическая часть
1.4. Научная новизна
1.5. Практическая ценность
1.6. Внедрение
1.7. Апробация
1.8. Содержание работы
2. ВЫВОД ПАРАМЕТРОВ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ ЭЛЕМЕНТА ПРОСТРАНСТВА В ПЛАНАРНОЙ ИМПЕДАНСНОЙ СЕТКЕ
2.1. Эквивалентная ЯЬС схема элемента пространства
" 2.2. Соответствие моделей построенной,импедансной сетки и
исходных дифференциальных уравнений.*'.* А:
2.3. Построение дифференциальных уравнений для решения задач рассеяния электромагнитных волн во временной области для сред с частотной дисперсией диэлектрической и магнитной проницаемостей
2.4. Эквивалентная Я г схема элемента пространства
3. Построение алгоритмов анализа планарной Яг сетки
3.1. Алгоритм анализа планарной Я г сетки при неоднородном диэлектрическом заполнении
3.2. Алгоритм анализа планарной Ят сетки при неоднородном магнитном заполнении

3.3. Модифицированный вариант алгоритма анализа планарной Ят сетки при неоднородном магнитном заполнении и отсутствии
магнитных потерь
3.4. Алгоритм анализа планарной Rr сетки при отсутствии диэлектрического и магнитного заполнения
3.5. Алгоритм анализа планарной Rt сетки в случае неоднородного диэлектрического и магнитного заполнения..
3.6. Сравнение алгоритмов анализа планарной Rг сетки
4. Граничные условия в планарной R т сетке
4.1. Граничное условие КЗ
4.2. Граничное условие XX
4.3. Граничное условие поглощения собственных волн прямоугольного волновода HmQ и плоской волны
4.3.1. Собственные решения волноведущей структуры в импедансной сетке
4.3.2. Поглощение собственных волн прямоугольного волновода Нт0 и плоской волны
4.4. Трансформатор возбуждения и поглощения собственных волн прямоугольного волновода НтП или плоской волны
5. Оценка точности импедансной сетки
6. Программная реализация алгоритма
6.1. Состав программного комплекса Tamic Rt-H
6.2. Основные параметры программы Tamic Rt-H Analyzer
6.3. Тестирование программного комплекса Tamic Rt-H
6.3.1 Качество возбуждения и согласования собственных решений
6.3.2 Отражение от диэлектрической пластины в прямоугольном волноводе

6.3.3 Рассеяние плоской волны на диэлектрической пластине.
6.3.4 Рассеяние переднего фронта радиоимпульса на диэлектрическом слое с частотной дисперсией
6.4. Пример решения задачи о рассеянии радиоимпульса на неоднородном диэлектрическом цилиндре
6.5. Пример решения задачи о рассеянии трех радиоимпульсов на неоднородном диэлектрическом цилиндре
6.6. Пример решения задачи рассеяния для неоднородного диэлектрического цилиндра с Гауссовым возмущением
7. Заключение
Список литературы:
Приложение
1.1 Программы анализа во временной области
1.2 Программы, использующие метод моментов
1.3 Программы, использующие метод обобщенного многополюсника
1.4 Программы, использующие метод интегральных уравнений
1.5 Программы, использующие метод конечных элементов
1.6 Программы, использующие лучевое приближение
1.7 Программы, использующие другие методы
1.8 Исследование рынка программного обеспечения для анализа рассеяния электромагнитных волн от неоднородных плазменных образований
Приложение
1. Меню программного комплекса и средства управления
вычислительным процессом
Системное меню:
Меню файловой системы (File):
Для моделирования вещества в эквивалентной схеме элементарной области пространства при £а ф £о и Ца Ф //„ необходимо использовать комбинации схем рис. 2.5, рис. 2.6, рис. 2.8 и рис 2.9, в зависимости от значений еа и /ла (см. рис. 2.10 - 2.13).
Рис.2.10. Моделирование в ШС схеме элемента пространства диэлектрического и магнитного заполнения для вещества с еа > £0 и
Ма>Мо •
Рис.2.11. Моделирование в Я£С схеме элемента пространства диэлектрического и магнитного заполнения для вещества с еа < е0 и
Ма > До •