Варикап со ступенчато-градиентным профилем распределения концентрации примеси

• Автор: Соловьев, Виталий Анатольевич
• Шифр специальности: 05.11.14
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Пенза
• Количество страниц: 135 с. : ил.

1 Современное состояние конструкций и технологии изготовления элементов нелинейной емкости

1.1 Анализ элементов нелинейной емкости, управляемой напряжением

1.2 Основные параметры нелинейных емкостей

1.3 Обзор технологии изготовления полупроводниковых варикапов

Выводы
2 Решение уравнения Пуассона и расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато-градиентным профилем распределения примеси
2.1 Решение уравнения Пуассона для ступенчато-градиентного профиля распределения примеси в базе варикапа
2.2 Расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато - градиентным профилем распределения примеси

2.3 Оптимизация профилей легирующей примеси

Выводы
3. Технология изготовления полупроводниковой структуры со ступенчатоградиентным профилем распределения примеси
3.1 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом диффузии
3.2 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом ионной имплантации
3.3 Расчет технологических режимов молекулярно-лучевой эпитаксии
Выводы
4 Моделирование варикапа со сверхрезким р-п - переходом в системе сквозного моделирования полупроводниковых приборов ISE TCAD Release 7
4.1 Методика проведения моделирования в программном пакете ISE TCAD Release 7
4.2 Моделирование технологии изготовления варикапа с помощью интерактивного компоновщика двумерных структур MDRAW
4.3 Моделирование технологии изготовления варикапа в программе DIOS
4.4 Описание моделирования статических характеристик структуры в программе DESSIS
4.5 Описание моделирования статических характеристик полученной структуры в программе ОЕББІБ
Выводы
Заключение
Список использованных источников
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
Приложение Г

Отсюда определим толщину слоя объемного заряда 80:
2-g-gp-^v,»
q-N
(2.7)
N A.
> X

Рисунок 2.1 - График распределения примеси в варикапе
2) Вторая область представляет собой участок р-п перехода, где концентрация N(x) с увеличением толщины слоя объемного заряда б„ экспоненциально уменьшается. Для определения распределения потенциала этой области примем следующие допущения:
а) Будем считать, что толщина слоя объемного заряда первой области S0 во много раз меньше толщины слоя объемного заряда второй области
б) Представим р-п переход в виде двух последовательно соединенных конденсаторов, и положим, что напряжение, приложенное к р-п пере-