Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Соловьев, Виталий Анатольевич
05.11.14
Кандидатская
2005
Пенза
135 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
1 Современное состояние конструкций и технологии изготовления элементов нелинейной емкости
1.1 Анализ элементов нелинейной емкости, управляемой напряжением
1.2 Основные параметры нелинейных емкостей
1.3 Обзор технологии изготовления полупроводниковых варикапов
Выводы
2 Решение уравнения Пуассона и расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато-градиентным профилем распределения примеси
2.1 Решение уравнения Пуассона для ступенчато-градиентного профиля распределения примеси в базе варикапа
2.2 Расчет основных статических характеристик варикапа со ступенчато - градиентным профилем распределения примеси
2.3 Оптимизация профилей легирующей примеси
Выводы
3. Технология изготовления полупроводниковой структуры со ступенчатоградиентным профилем распределения примеси
3.1 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом диффузии
3.2 Расчет технологических режимов изготовления варикапа методом ионной имплантации
3.3 Расчет технологических режимов молекулярно-лучевой эпитаксии
Выводы
4 Моделирование варикапа со сверхрезким р-п - переходом в системе сквозного моделирования полупроводниковых приборов ISE TCAD Release 7
4.1 Методика проведения моделирования в программном пакете ISE TCAD Release 7
4.2 Моделирование технологии изготовления варикапа с помощью интерактивного компоновщика двумерных структур MDRAW
4.3 Моделирование технологии изготовления варикапа в программе DIOS
4.4 Описание моделирования статических характеристик структуры в программе DESSIS
4.5 Описание моделирования статических характеристик полученной структуры в программе ОЕББІБ
Выводы
Заключение
Список использованных источников
Приложение А
Приложение Б
Приложение В
Приложение Г
Отсюда определим толщину слоя объемного заряда 80:
2-g-gp-^v,»
q-N
(2.7)
N A.
> X
Рисунок 2.1 - График распределения примеси в варикапе
2) Вторая область представляет собой участок р-п перехода, где концентрация N(x) с увеличением толщины слоя объемного заряда б„ экспоненциально уменьшается. Для определения распределения потенциала этой области примем следующие допущения:
а) Будем считать, что толщина слоя объемного заряда первой области S0 во много раз меньше толщины слоя объемного заряда второй области
б) Представим р-п переход в виде двух последовательно соединенных конденсаторов, и положим, что напряжение, приложенное к р-п пере-
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Технология изготовления криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе слоистых структур высокотемпературных сверхпроводников | Филимонов, Виталий Евгеньевич | 2009 |
Разработка и исследование технологии производства компактных люминесцентных ламп информационно-измерительных приборов и систем | Микаева, Светлана Анатольевна | 2007 |
Интенсификация теплообмена в инерциальных навигационных системах на лазерных гироскопах | Климаков, Владимир Владимирович | 2014 |