Полупроводниковые чувствительные элементы датчиков давлений на основе структуры "кремний-на-диэлектрике"
- Автор:
Баринов, Илья Николаевич
- Шифр специальности:
05.11.14
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Пенза
- Количество страниц:
210 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Алтухов, Андрей Александрович | 2005 |
| Разработка технологических методов управления функциональными характеристиками узлов гироприборов | Юльметова, Ольга Сергеевна | 2011 |
| Разработка и исследование пьезоэлектрических струнных преобразователей движения | Александров, Владимир Алексеевич | 2006 |