Поведенческие модели чип резисторов, адаптированные к технологии производства и применению в гибридных интегральных СВЧ схемах

• Автор: Белков, Игорь Георгиевич
• Шифр специальности: 05.11.13
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 131 с. : ил.

Содержание
Введение

Актуальность

Цель работы

Методы исследования

Научная новизна

Практическая ценность

Практическое использование

Обоснованность и достоверность результатов работы

Апробация работы

Публикации
Структура и объем
На защиту выносятся:
ГЛАВА 1 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ РЕЗИСТИВНЫХ СВЧ КОМПОНЕНТОВ И ПОСТРОЕНИЕ ИХ ПОВЕДЕНЧЕСКИХ МОДЕЛЕЙ, ОБЗОР СУЩЕСТВУЮЩИХ
МЕТОДОВ
Введение
1.1 Измерение волновых параметров рассеяния СВЧ чип резисторов
1.2 Контактное устройство для измерения волновых параметров рассеяния СВЧ чип
резисторов
1.3. Модели СВЧ чип резисторов
1.4 Современное состояние рынка систем автоматизированного проектировании и
моделей электронных СВЧ компонентов
Выводы и постановка задач исследования
ГЛАВА 2 СПОСОБ РАСЧЕТА ПОГРЕШНОСТИ КОСВЕННЫХ ИЗМЕРЕНИЙ,
ВЫПОЛНЕННЫХ НА ОСНОВЕ КАЛИБРОВКИ ТЛЕ-МЕТОДОМ
Введение
2.1 Постановка задачи
2.2 Математическая модель расчета неопределенности измерений
2.3 Сравнение факторов, влияющих па погрешность
Выводы
ГЛАВА 3 ПОВЕДЕНЧЕСКИЕ МОДЕЛИ СВЧ ЧИП РЕЗИСТОРОВ
Введение
3.1 Постановка задачи
3.2 Принцип построения модели на основе искусственных нейронных сетей
3.2.1 Входные параметры
3.2.2 Моделирование процессов измерения
3.2.3 Общий принцип построения моделей на основе искусственных нейронных сетей
3.2.4 Пенросстевая модель па основе волновых параметров рассеяния
3.2.5 Гибридная модель
3.2.6 Гибридная модель с аналитическим слоем
3.3 Расчет статистических данных
Выводы
ГЛАВА 4 ОСОБЕННОСТИ КОНТРОЛЯ И ПОСТРОЕНИЯ ПОВЕДЕНЧЕСКИХ
МОДЕЛЕЙ СЕРИЙНОЙ ПРОДУКЦИИ СВЧ ЧИП РЕЗИСТОРОВ
Введение
4.1 Постановка задачи
4.2 Входные и выходные параметры
4.3 Модель серийно выпускаемого СВЧ резистора
4.4 Интеграция моделей в системах автоматизированного проектирования
4.5 Преимущества разработанных поведенческих моделей
Выводы
Заключение
Список литературы
Приложение А - Акт о внедрении результатов_кандидагской диссертационной
работы
Приложение Б - Примеры программной реализации поведенческих моделей
Введение
Развивающаяся радиоэлектронная промышленность требует постоянного совершенствования компонентой базы. При этом все более высокие требования предъявляются не только к параметрам отдельного электронного компонента, но и технологичности всего процесса сборки радиоизделий. Разработка конструкции отдельного компонента, позволяющая создать технологическое и надежное изделие в целом, становится немаловажной задачей.
При высоком уровне плотности монтажа монтаж по традиционной технологии электронных компонентов с выводами не только более дорогостоящ, но и нетехнологичеп. Преимущество технологии поверхностного монтажа заключается в низких затратах на перевозку и хранение на складе компонентов и в требованиях к производственным площадям и оборудованию.
В конструктивном исполнении для поверхностного монтажа существуют почти все типы компонентов, такие как конденсаторы, резисторы, транзисторы, диоды и т.д. Однако вследствие ограничения физического размера, налагаемого технологическим процессом поверхностного монтажа, большинство таких элементов проектируются с мощностью рассеяния, не превышающей 1 Вт, что наиболее критично для резистивных элементов. Разработанная конструкция электронных резистивных компонентов с применением специальных контактных площадок позволяет увеличить мощность рассеяния до 40 Вт и более. Такой подход позволяет разрабатывать мощные электронные изделия меньших размеров, что наиболее критично в авиации и мобильных теле-, радиостанций.
В настоящее время предъявляются жесткие требования к различным параметрам электронной аппаратуры в целом и электронным компонентам в частности. Требования предъявляются как к значениям самих параметров, так и точности их определения. Решение задач разработки компонентов нового поколения может быть успешным только при рассмотрении п постановке смежных прикладных задач, к которым, в частности, относятся задачи метрологического обеспечения разработок. Существующие стандартизированные методы измерении
ГЛАВА 2 СПОСОБ РАСЧЕТА ПОГРЕШНОСТИ КОСВЕННЫХ ИЗМЕРЕНИЙ, ВЫПОЛНЕННЫХ НА ОСНОВЕ КАЛИБРОВКИ ТИБ-МЕТОДОМ
Введение
Современные вычислительные средства позволяют проводить комплексный анализ данных, выполняя достаточно сложные многоэтапные измерительные процедуры в сочетании с цифровой обработкой данных [30].
Одним из таких процессов являются косвенные измерения волновых параметров рассеяния СВЧ-компонентов в микроплосковом тракте. Обязательным этапом при этом является калибровка измерительных приборов и специальных контактных устройств.
Погрешность измерений, выполняемых на этапах калибровки, трансформируется в погрешность определения параметров исследуемого компонента. Поэтому оценка случайных погрешностей измерений в микрополосковом тракте на основе методов статистики является нетривиальной задачей [31]. Важным является оперативно и достоверно выполнить эту оценку, поскольку завышенная оценка может привести к необоснованному отказу от использования того или иного компонента или прибора [32].
2.1 Постановка задачи
Измерения волновых параметров рассеяния резистивного компонента производится в специальном контактном устройстве на измерительных платах (Рисунок 2.1).