Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование и разработка принципов построения и оптико-электронных систем обеспечения безопасности подъемно-транспортных машин | Алексанкин, Владимир Александрович | 2000 |
| Векторная теория и математические модели дифракции света в микроструктурах и высокоапертурных оптических системах | Вознесенский, Николай Борисович | 2000 |
| Улучшение качества изображения на основе метода фазового разнесения и нейронных сетей | Клеймёнов, Егор Викторович | 2002 |