Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гирокомпас на основе зеемановского кольцевого лазера | Колбас, Юрий Юрьевич | 2011 |
| Лучевая прочность диэлектрических зеркал для ближнего ИК диапазона | Макаричев, Глеб Вячеславович | 2012 |
| Теория и методика расчетов оптических приборов с плоскостной симметрией | Смирнов, Александр Павлович | 2007 |