Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона», автор — Мазалов, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.11.07. Работа подготовлена в городе Москва в 2013 году. Объем работы: 110 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006722001. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Лазерные сканирующие системы контроля геометрических параметров изделий массового производства | Тарасов, Виктор Васильевич | 1998 |
| Методы расчета и выбора основных параметров спектрозональных оптико-электронных систем видимого и коротковолнового инфракрасного диапазонов | Яроцкая, Екатерина Александровна | 2010 |
| Оптоэлектронные и микроэлектронные принципы построения твердотельных генераторов сверхвысокочастотного диапазона | Лопарев, Алексей Викторович | 2011 |