Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Методика расчета и технология изготовления вогнутых голограммных дифракционных решеток, записанных негомоцентрическими пучками | Белокопытов, Алексей Анатольевич | 2010 |
| Кварцевые волоконные световоды с особыми оптическими и механическими свойствами | Шевандин, Виктор Сергеевич | 2006 |
| Разработка термостабильных функциональных узлов лазерных доплеровских измерительных систем | Бакакин, Григорий Владимирович | 2001 |