Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптико-электронный измерительный комплекс для микропирометрии наносекундного разрешения | Бороненко, Марина Петровна | 2015 |
| Оптические схемы малогабаритных спектроанализаторов для мониторинга гидротехнических сооружений | Ахметгалеева, Раиля Рифатовна | 2017 |
| Оптико-электронная диагностика структуры монокристаллических полупроводников с применением вейвлет-анализа | Белехов, Ярослав Сергеевич | 2007 |