Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона
- Автор:
Мазалов, Александр Владимирович
- Шифр специальности:
05.11.07
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2013
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
110 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Гетероструктуры (Al)GaN/AlN для полупроводниковой фотоэлектроники ближнего УФ-диапазона», автор — Мазалов, Александр Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 05.11.07. Работа подготовлена в городе Москва в 2013 году. Объем работы: 110 с. : ил.. Внутренний код товара: 01006722001. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Многоволновая лидарная система для определения физических параметров тропосферного аэрозоля : методика расчёта параметров и анализа данных | Волков, Николай Николаевич | 2013 |
| Высокодобротный призменный резонатор кольцевого лазера малогабаритного лазерного гироскопа | Воронина, Елена Анатольевна | 2004 |
| Разработка и исследование малогабаритных проекционных оптических систем высокого разрешения | Шишкин, Игорь Петрович | 2017 |