Исследование методов контроля параметров слоев в процессе осаждения многослойных систем

• Автор: Ван Аймин
• Шифр специальности: 05.11.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 119 с.

Глава 1. Оптические постоянные металлов и методы их измерения
1.1. Методы измерения оптических параметров (п, к, с!) тонких пленок
1.1.1. Измерения при нормальном падении света
1.1.2. Фотометрические и интерферометрические измерения
1.1.3. Эллипсометрические измерения
1.1.3.1. Оптимальные условия элипсометрических измерений
1.1.3.2. Методы точного решения
1.1.3.3. Идеальная граница между полубесконечными средами
1.1.3.4. Однородный изотропный слой на изотропной подложке
1.1.3.5. Аналитическое решение обратной эллипсометрической задачи для однослойной системы
1.1.3.6. Приближенные методы решения. Тонкий проводящий слой
1.1.4. Методы, основанные на измерении разности фаз поляризованных компонент, возникающей при отражении
1.2. Оптические постоянные металлов
Выводы по главе
ГЛАВА 2. Методы контроля оптических постоянных тонких пленок в
процессе осаждения
2.1. Методы описания многослойных оптических покрытий
2.2. Методы контроля оптических постоянных и толщины пленок
во время осаждения слоя
2.2.1. Фотометрические методы контроля
2.2.2. Обработка фотометрического сигнала с использованием производной по толщине и оценка точности контроля

Выводы по главе
ГЛАВА 3. Измерение оптических постоянных тонких пленок в
процессе осаждения и эксплуатации
3.1. Теоретические и методические основы проведения эллипсометрических измерений на ЛЭФ-ЗМ
3.2. Определение величины погрешности полученных экспериментальных результатов
3.3. Исследование фотометрических методов определения
I оптических постоянных тонких пленок
3.4. Контроль оптических параметров слоя во время осаждения пленки в вакууме
Выводы по главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Приложение 1. Методика определения нулевых положений
эллипсометра ЛЭФ-ЗМ
, Приложение 2. Проведение измерений на ЛЭФ-ЗМ с приставкой
автоматического определения эллипсометрических
параметров исследуемых покрытий
Приложение 3. Пример программ для создания массива данных и
выборки решения

Если в системе нет поглощения, то Т+Л=1 , при наличии поглощающих слоев это выражение принимает вид: К+Т+1А,=1, где А-} -коэффициент поглощения в фтом слое (в дальнейшем будет использоваться коэффициент поглощения А=ЕА|).
Второй важный набор величин, необходимых при расчете оптических свойств тонких пленок, - относительные изменения фазы, играющие существенную роль в интерферометрии и в задачах проектирования многослойных фильтров. Изменение фазы при отражении определяется как разность фаз отраженной и падающей волн на границе раздела двух сред,

р (г)
с ор со С 0-
(54)
Аналогично изменение фазы при прохождении определяется 1

р (о
^ О-
(55)
Приведенные выше выражения (51) могут быть использованы для расчетов не поглощающей пленочной системы. При наличии поглощающих пленок элементы матриц становятся комплексными числами. Тогда матрица описания слоя принимает вид:
ши / т12 СОЭф
1 т21 т22 П
1 п эшср СОБф
, где
(56)
тх = тх + /т( - комплексный элемент матрицы, ф = (р - /ф' - фазовая толщина слоя, где Ф = 2тспс1/А. ; у ' = 2пкй/Х . (57)
Для упрощения последующих расчетов и написания программ удобно использовать запись формул с раздельным определением