Системотехническое проектирование электроплазменных технологий и оборудования

• Автор: Лисовский, Сергей Михайлович
• Шифр специальности: 05.09.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Саратов
• Количество страниц: 405 с. : ил.

Глава 1 Анализ процессов и систем электроплазменной обработки
как объектов проектирования
Постановка задачи
1.1. Анализ физико-химических механизмов электроплазменной обработки
1.2. Конструирование и разработка электроплазменного оборудования
1.2.1. Структурная схема электроплазменного оборудования
1.3. Плазмотроны
1.3.1. Требования, предъявляемые к плазмотронам
1.3.2. Конструкции плазмотронов
1.4. Ионные источники
1.4.1. Общая характеристика
1.4.2. Конструкции ионных источников
1.5. Магнетронные распылительные системы
Общая характеристика
1.5.1. Конструкции магнетронных распылительных систем и их
характеристики
1.6. Формальная модель проектирования электроплазменных технологий и оборудования
Выводы по главе 1
Глава 2 Методологические основы системотехнического процесса проектирования электроплазменных технологий и автоматизированного оборудования на основе проектных моделей знаний
Постановка задачи
2.1. Основные понятия системного и информационного
подходов, используемые для формирования проектных моделей знаний
2.2. Нечёткие модели представления знаний процесса проектирования
2.3. Управление формированием проектных моделей знаний для проектирования электроплазменных технологий и оборудования
2.4. Управление распределением ресурсов для решения научно-технических задач
Выводы по главе 2
Глава 3 Автоматизация технологического эксперимента при
исследовании процессов электроплазменной обработки
Постановка задачи
3.1. Моделирование нечётких знаний при проведении автоматизированного технологического эксперимента
3.2. Алгоритмы управления электроплазменными
технологическими процессами при проведении автоматизированного эксперимента
3.3. Научные принципы разработки оборудования для автоматизированного эксперимента электроплазменной обработки
Выводы по главе 3
Глава 4 Исследование и разработка методов повышения устойчивости газовых разрядов в распределённых электродных системах технологических плазменных устройств
Постановка задачи 13
4.1. Классификация технологических плазменных устройств по принципу распределённости газовых разрядов
4.2. Факторы, определяющие устойчивость газовых разрядов
4.3. Анализ устойчивости тлеющего разряда, обусловленной тепловыми процессами на электродах
4.4. Исследование влияния импульсной формы тока на устойчивость тлеющего разряда
4.5. Исследование влияния технологических факторов и геометрических размеров электродов на устойчивость тлеющего разряда
4.6. Анализ устойчивости коронного разряда, обусловленного скоростью прокачки газа через межэлектродный промежуток распределённой электродной системы
4.7. Экспериментальное определение предельного тока коронного разряда в распределённой электродной системе типа игла-плоскость
Выводы по главе 4
Глава 5 Исследование и разработка электроплазменных
технологических процессов
Постановка задачи
5.1. Исследование технологических процессов очистки и
нагрева деталей в тлеющем разряде
5.1.1. Анализ процессов очистки деталей в тлеющем разряде
5.1.2. Анализ термических условий очистки и нагрева деталей в тлеющем разряде
5.1.3. Анализ процесса термической активации поверхности основы дополнительным газовым разрядом
5.1.4. Экспериментальные исследования очистки деталей при обработке импульсным тлеющим разрядом
5.1.5. Разработка технологии чернения стальных деталей в тлеющем разряде
5.1.6. Разработка технологических требований к оборудованию очистки и нагрева деталей в тлеющем разряде

сложную форму [57].
Катодный узел — один из важнейших элементов МРС. Обычно он состоит из мишени, изготовленной из распыленного материала, и ее водоохлаждаемого держателя. При изготовлении мишени и катодного узла в целом требуется обеспечить:
- высокую чистоту (99,999%), а также высокую плотность материала мишени, а при использовании мишеней из сплавов (например, А1 - 81, А1 — — Си и др.) точность легирования материала мишени примесями и их равномерное распределение по всему объему мишени;
- эффективное охлаждение мишени, чтобы ее температура в процессе распыления не превышала 100°С;
- максимальное использование материала мишени (что особенно важно при распылении таких дорогостоящих материалов, как Рц Аи и др.
Рис. 1.13. Магнетронная распылительная система с цилиндрической мишенью:
1 - кольцевое уплотнение анода; 2 - катод-мишень; 3 - анодный узел; 4 - заземленный анод; 5 - держатель мишени; 6 - заземленный экран; 7 - катодный узел; 8 - уплотнение;
9 - изоляторы; 10 - выводы воды; 11 - высоковольтный ввод; 12 - корпус; 13 - верхнее магнитное кольцо; 14-крышка; 15-канал охлаждения; 16-заземление; 17-магнит