Создание научных основ разработки электротехнологического высокочастотного плазменного оборудования для обработки изделий электронного приборостроения

• Автор: Хрусталев, Владимир Александрович
• Шифр специальности: 05.09.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Новосибирск
• Количество страниц: 438 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 ПРИБОРНО-РЕАКТРОНЫЕ СРЕДЫ ЭНЕРГО- И МАССО-ОБМЕНА, ЧАСТОТНО-СПЕКТРАЛЬНЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ КОМПЛЕКСАМ . . .
1.1. Постановка задачи
1.2. Низкотемпературная плазма - активатор физико - химических процессов
1.3. Особенности основных плазмообразующих газов
1.4. Активации процессов в неравновесной плазме
1.5. Повышение технологической эффективности низкотемпературной плазмы при использовании электромагнитных колебаний с различными частотно-спектральными характеристиками
1.6. Энергетические воздействия на низкотемпературную плазму детерминированного многочастотного колебания типа меандр
Выводы
ГЛАВА 2 ОБОБЩЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС (МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ)
2.1. Эквивалентные схемы замещения разряда
2.1.1. Трансформаторная электрическая эквивалентная схема замещения индукционного разряда
2.1.2. Электрическая эквивалентная схема замещения емкостного разряда
2.2. Обобщенное представление реакторных объемов любой конфигурации методом цепных аналогий
2.3. Аналитическая интерпретация модели обобщенного электронно-технологического процесса как части электротехнологического комплекса
Выводы
ГЛАВА 3 ВЧ ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ ЭЛЕКТРОТЕХНО ЛОГИЧЕСКИХ КОМПЛЕКСОВ И ИХ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА
3.1. Источники питания на основе традиционных ламповых генераторов
3.2. Полигармонические ВЧ источники питания
3.3. Схемные методы оптимизации параметров мощных генераторов
3.4. Работа генератора в режимах многочастотной детерминированной генерации и автоколебательного шумообразования
3.5. Приборное обеспечение плазменных высокочастотных электротехнологий
3.5.1 Мощные приборы с сеточным управлением для промышленных целей. Анализ тенденций развития
3.5.2 Сетевые магнетроны. Анализ тенденций развития
Выводы
ГЛАВА 4 СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИМАЛЬНЫХ РЕЖИМОВ РАБОТЫ РЕАКТОРНЫХ СИСТЕМ ПЛАЗМОТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКИ ИЗДЕЛИЙ ЭЛЕКТРОННОГО ПРИБОРОСТРОЕНИЯ
4.1. Постановка задачи
4.1.1. Системы на базе объемных резонаторов СВЧ
4.1.2. Гибридные реакторные системы
4.1.3. Протяженные и дискретно распределенные плазменные реакторы
4.2. Источники энергии ВЧ плазмотронов
4.2.1. Емкостные генераторы плазмы
4.2.2. Индукционные генераторы плазмы
4.2.3. Гибридные генераторы плазмы
4.2.4. Многоканальные генераторы плазмы
Выводы
ГЛАВА 5. МОДЕЛЬНЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И РЕАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОННО-ФИЗИЧЕСКИЕ И ЭЛЕКТРОННОТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПРИБОРОСТРОЕНИИ
5.1. Оптимизация процессов высокочастотной термин
5.2. ВЧ(СВЧ) плазмотермия, оптимизация методов деструкции полимеров

Рис. 1.2. Изменение сопротивления нагрузки в процессе плазменной обработки изделий
торных сред для реализации конвейерной групповой технологической обработки вынуждает осуществлять во время технологического цикла соответствующие корректирующие управления, в том числе пространственные [16,17].
Произвольная загрузка реактора изделиями, имеющими сложные геометрические формы, имеющими поверхности в непрямой видимости (типа «карманов») ставит перед разработчиками технологического оборудования сложную двоякую задачу. С одной стороны необходимо иметь большие объемы пространственно однородной плазмы. Поэтому важно обеспечить постоянство напряженности поля во всем реакторе, в том числе и в «карманах». С другой стороны необходимо обеспечивать заданные напряженности полей и параметров плазмы вблизи обрабатываемых поверхностей. Это возможно только созданием пространственно неоднородной плазмы, параметрами которой можно управлять.