Исследование композиционных слюдосодержащих электроизоляционных материалов методами ТСД и восстановленного напряжения

• Автор: Пантелеев, Юрий Алексеевич
• Шифр специальности: 05.09.02
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 186 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ
СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ
Список ОСНОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
ВВЕДЕНИЕ
1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Зарядовые состояния в диэлектриках и методы их исследования
1.2. Принципы постановки эксперимента в неизотермическом режиме
1.3. ОБРАБОТКА экспериментальных результатов
1.3.1. Модельные представления
1.3.1.1. Модель релаксации первого порядка
1.3.1.2. Модель трехслойного диэлектрика
1.3.1.3. Модель двух облаков заряда
1.3.2. Способы определения энергии активации релаксационных процессов
1.3.3. Современные расчетные методики
1.4. Результаты исследований релаксационных процессов в диэлектижах
1.4.1. Органические диэлектрики
1.4.2. Неорганические диэлектрики и композиционные материалы
1.5. Выводы
1.6. Постановка задач работы
2. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИКОВ НА ОСНОВЕ ДАННЫХ ТЕРМОАКТИВАЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
2.1. Модель релаксации первого порядка
2.2. Применение метода наименьших квадратов для анализа спектров тока ТСД
2.3. Компьютерное моделирование одиночного максимума тока ТСД
2.4. Анализ сложных максимумов тока ТСД
2.5. Расчет параметров ЭАД в случае их распределения по времени релаксации и
СИЕГГЕЗ КРИВЫХ ТОКА ТСД
2.6. Возможности обработки опытных данных, полученных на многослойных
ОБРАЗЦАХ
2.7. Компьютерное моделирование изотермической релаксации заряда
2.8. Выводы
3. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
3.1. ПОДГОТОВКА ОБРАЗЦОВ
3.2. Технология производства стеклоткани
3.3. Технология производства слюдобумаги
3.4. изготовление композиционных слюдосодержащих электроизоляционных
МАТЕРИАЛОВ
3.5. Экспериментальная установка
3.5.1. Описание установки
3.5.2. Система регулирования температуры
3.5.3. Система измерения тока,
3.5.4. Контроль температурного резкими в камере и работы измерительной системы.
3.6. Выводы
4. АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ ЭКСПЕРИМЕНТА
4.1. Спектры тока ТСД КМ и их компот шов
4.2. Влияние старения на зарядовые состояния в КМ
4.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
ПРИЛОЖЕНИЕ
Приложение
Приложение

Список сокращений и обозначений
Список основных сокращений
ВТ - высокотемпературный (как правило, от комнатной температуры и выше) ИДИЛ (ЦРР) - метод импульсного давления, индуцированного лазером КВ - кварцевое стекло
КЛР - кварцевое стекло, легированное диоксидом титана КМ - композиционный материал КЭФ - компенсационный эффект
ЛСК-СС, ЛСК-ПОСПл, ЛСМ, ЛСУ, ЛСЭП-934СПл - слюдяные ленты МДМ, МДП - металл-диэлектрик-металл, металл-диэлектрик-полупроводник ММЛИ (1ДММ) - метод модуляции лазерной интенсивности МНК - метод наименьших квадратов
НТ - низкотемпературный (как правило, ниже комнатной температуры)
НВДФ - поливинилиденфторид
ПК - поликарбонат
ПММА - полиметилметакрилат
ПП - полипропилен
ПТФЭ - политетрафторэтилен
ПЭНД - полиэтилен низкого давления
ПЭТФ - полиэтилентерефталат
ПЭТ-Э - полиэшленгсрефгалаг электротехнического назначения (разновидность ПЭТФ)

При постоянной в пределах заряженного слоя плотности заряда из уравнения непрерывности находят следующее выражение:
= (1.34)
dt s0e р0т
После интегрирования этого уравнения получают зависимость плотности объемного заряда от времени:

(1.35)
Для этой стадии, когда заряженные облака не контактируют друг с другом или с электродами, плотность тока определяется следующим выражением:

) = jj^pEdx = Е0 + £,) = -^jexp 2й0|ї
(1.36)
2. В случае, когда носители заряда контактируют друг с другом, распределение электрического поля по толщине образца в этом случае определяется следующими соотношениями
Я0=-Р^1;£, = Р®(1-8). (1.37)

Выражение для плотности заряда (1.35) справедливо и в этом случае. Для изменения толщины заряженной области со временем можно получить следующее уравнение:
к~=-Ео]х=—«=- > (1.38)
сИ 1 ' ‘ *
ЧЧ?) {Ч?)
решая которое, можно найти: