Разработка и исследование агрегатов для проведения процесса газофазного осаждения эпитаксиальных слоев кремния на подложки большого диаметра

• Автор: Каблуков, Андрей Леонидович
• Шифр специальности: 05.02.13
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 157 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ КРЕМНИЕВОЙ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЯ

1.1. Введение

1.2. Отличительные особенности и задачи газофазной

ЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ

1.3. Классификация и краткая характеристика

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ РЕАКТОРОВ

1.4. Постановка задачи

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ НАПРЯЖЕННО-ДЕФОРМИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКЕ

2.1. Термоупругие напряжения и термопластические эффекты в

КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ОБРАБОТКЕ
2.2. Распределение температуры в полупроводниковых
ПЛАСТИНАХ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ УСЛОВИЯХ НАГРЕВА.
2.3. Тепловое состояние подложек в процессе газофазной
ЭПИТАКСИИ КРЕМНИЯ.
2.4. Выводы

ГЛАВА 3. ТЕПЛООБМЕН В СИСТЕМЕ
«ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЬ - ПОДЛОЖКА - СТЕНКА РЕАКТОРА»
3.1. Некоторые особенности контактирования шероховатоволнистых ПОВЕРХНОСТЕЙ
3.2. Модель теплообмена между подложкой и
ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЕМ.
3.3. Результаты моделирования и их анализ
3.4. Экспериментальные исследования распределения
ТЕМПЕРАТУРЫ ПОДЛОЖЕК В РЕАКТОРАХ РАЗЛИЧНОЙ МОДИФИКАЦИИ.
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛУЧИСТОГО ТЕПЛООБМЕНА В УСТРОЙСТВАХ ИК-НАГРЕВА
4.1. Модель реактора с плоскими отражателями.
4.2. Модель реактора с цилиндрическими отражателями
4.3. Анализ результатов моделирования нагревательных устройств с линейными источниками ИК-НАГРЕВА.
4.4. Модель сферического реактора с квазиточечными источниками излучения.
4.5. Анализ результатов моделирования нагревательных устройств с квазиточечными источниками И К- НАГРЕВА.
4.6. Схема реакционной камеры с двойным нагревом.
4.7. Выводы
ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА УЗЛОВ И АГРЕГАТОВ УСТАНОВКИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КРЕМНИЯ НА ПОДЛОЖКИ
БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА

5.1. ОБЩАЯ КОМПОНОВКА РАЗРАБАТЫВАЕМОЙ УСТАНОВКИ
5.2. Реакционная камера.
5.3. Производительность установки.
5.4. Оценка окупаемости установки
5.5. Выводы
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЯ

Вариант 1.
Размер кристалла - 15x15 мм Икрист. = 240шт N поЬр. = 13шт КАС = 5. 42'/.
Вариант 2. Размер кристалла - 10x10 мм Икрист. = 564шт И поЬр. = 19шт КАС = 3, 37'/.
Вариант 3. Размер кристалла - 5x5 мм Икрист. = 2136шт N поЬр. = 34шт КАС - 1, 59'/.
Вариант 4.
Размер кристалла Икрист. = 5376шт И поЬр. = 53шт КАС = О, 98'/.
- 3x3 мм
Рис. 2.1 Зависимость зоны потенциального повреждения элементов микросхем при прохождении через них линии скольжения от размера микросхемы.