Исследование оптических свойств полупроводника в экситонной области спектра под действием мощного импульса накачки и слабого зондирующего импульса

• Автор: Надькин, Леонид Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2013
• Место защиты: Тирасполь
• Количество страниц: 138 с. : ил.

Оглавление
Введение
1. Метод ритр-ргоЬе в системе экситонов и биэкситонов в полупроводниках в стационарном и нестационарном режимах
1.1 Введение.
1.2Метод ритр-ргоЬе при двухфотонном
взаимодействии с биэкситонами в стационарном и нестационарном режимах
1.2.1 Восприимчивость полупроводника, диэлектрическая функция и закон дисперсии
на частоте пробного импульса в стационарном режиме
1.2.2 Восприимчивость полупроводника и концентрация биэкситонов в нестационарном
режиме при различных формах мощного импульса 1
1 .ЗМетод ритр-ргоЬе в полупроводниках при действии импульса накачки в области М-полосы и пробного импульса в экситонной области спектра с учетом двухфотонного возбуждения биэкситонов
фотонами обоих импульсов
1.3.1 Восприимчивость полупроводника, диэлектрическая 25 функция и закон дисперсии на частоте пробного импульса в стационарном режиме
1.3.2 Восприимчивость полупроводника в нестационарном режиме
2. Метод ритр-ргоЬе в экситонной области спектра
2.1. Введение.
2.2. Восприимчивость полупроводника, диэлектрическая функция и закон дисперсии на частоте пробного импульса

2.3. Обсуждение результатов
3. Эффект самоотражения в системе экситонов и биэкситонов в 86 полупроводниках.
3.1 Введение
3.2 Эффект самоотражения в полупроводниках типа
CuCl при двухимпульсном
3.2.1 Постановка задачи
3.3.2 Обсуждение результатов интегрирования
волновых уравнений
3.3 Явление самоотражения плоскопараллельной пластинки полупроводника при двухфотонном возбуждении биэкситонов
3.3.1 Постановка задачи
3.3.2 Обсуждение результатов интегрирования
волновых уравнений 1
Заключение
Библиография

Введение
В настоящее время существенно повысился интерес к исследованию эффектов когерентного нелинейного распространения лазерного излучения в полупроводниках. К ним можно отнести эффекты самофокусировки, самоиндуцированной прозрачности, оптической нутации, оптического эха, бистабильности и мультистабильности, которые связаны с более общим эффектом - так называемым оптическим Штарк-эффектом. Еще одним из проявлений оптического Штарк-эффекта является эффект самоотражения лазерного излучения, который был предсказан и изучен для среды, состоящей из двухуровневых атомов. Физически он заключается в том, что в полубесконечной оптически однородной нелинейной среде возникает обратная волна на индуцированном полем прямой волны пространственно неоднородном распределении нелинейного показателя преломления среды. Так как полупроводники обладают широким разнообразием механизмов и большими значениями оптических нелинейностей и малыми временами релаксации, следует ожидать более яркого проявления эффекта самоотражения в собственных полупроводниках в системе экситонов и биэкситонов. Хорошо известно, например, что процессы двухфотонного возбуждения биэкситонов из основного состояния кристалла и оптической экситон-биэкситонной конверсии характеризуются гигантскими силами осциллятора и узкими 5-образными полосами излучения. Детально был изучен эффект самоотражения в полупроводниках при различных механизмах нелинейности. Однако в этих работах не рассматривался эффект самоотражения при учете нескольких механизмов нелинейности. Кроме того, пропускание и отражение лазерного излучения нелинейной пластинкой (резонатором Фабри-Перо) также существенно модифицируются при учете эффекта самоотражения по сравнению с учетом только френелевского отражения. Поэтому особенности протекания эффекта самоотражения в плоскопараллельной пластинке по

Рис. 1.14. Абсорбционная компонента восприимчивости --- в зависимости

и накачки /02 ПРИ ^
ченияхс, равных а) 0; б) 0,1; в) 0,37; г) 1.0.
от расстройки резонанса б и интенсивности накачки /0“ при 5/ = 0, 5 = 1 и зна-