Фотолюминесценция иттербия в полупроводниковых структурах и наноструктурах

• Автор: Трушин, Арсений Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 99 с. : ил.

Глава 1. Теоретическое описание системы полупроводник-ион редкоземельного элемента
1.1. Некоторые свойства редкоземельных элементов
1.2. Ион редкоземельного элемента в матрице
1.3. Иттербий в 11-У1 полупроводниках
1.4. Расчёт положения линий, соответствующих экситонам, локализованным в квантовых ямах структур на основе гп8е/2п( | .х)Сс1х8е
1.4.1. Аппроксимация параметров материала 2п(1.х)Сбх8е
1.4.2. Решение задачи о нахождении уровней энергии носителей, локализованных в квантовой яме
1.4.3. Вычисление энергии оптического перехода
Глава 2. Методы изготовления и исследования полупроводниковых структур
2.1. Получение полупроводниковых слоев, легированных редкоземельными элементами в процессе молекулярнолучевой эпитаксии
2.2. Ионное внедрение редкоземельных элементов в монокристаллы полупроводников
2.3. Отжиг образцов
2.4. Методы исследования
Глава 3. Экспериментальная часть. Исследование методом фотолюминесценции структур Zn^e, 7п8е/2пСё8е ЗЛ.гпТе
3.1.1. Получение структур гпТе'.УЬ/СаАя методом молекулярно - лучевой эпитаксии
3.1.2. Влияние отжига на спектры характеристического излучения ионов УЬ
3.1.3. Влияние качества кристаллической матрицы на спектры характеристического излучения ионов УЬ
3.1.4. Экспериментальное исследование температурных зависимостей спектров РЗ люминесценции в структуре 2пТе:(УЬ+0)
3.2. 2п8е:2пСс18е
3.2.1. Описание исследованных структур
3.2.2. Результаты исследования образцов структур трёх типов
3.2.3. Оптимальные технологические условия для наблюдения характеристического излучения РЗ ионов и излучения экситонов
Глава 4. Обсуждение результатов
4.1. гпТе
4.2. гпБе/гпСбЗе
Заключение
Список литературы

Рис.16 Спектр фотолюминесценции образца 206-3, записанный при температуре 77К Иттербий введён в 2пТе до концентраций 1.5*10” см° во время роста этой структуры
Кислород имплантирован до концентрации 5* 10 см' После имплантации образец прошел отжиг при температуре 425 °С длительностью 5 мин