Органические преобразователи света и светоизлучающие диоды на основе металлоорганических комплексов тербия и цинка

• Автор: Ващенко, Андрей Александрович
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 128 с. : ил.

Содержание
Введение

Обзор литературы

1. Основные принципы работы органических электролюминесцент-

ных устройств

2. Механизмы деградации органических светоизлучающих диодов

2.1. Образование темных пятен

2.2. Пробой

2.3. Внутренняя деградация

2.4. Заключение

3. Основные принципы работы органических фотоумножающих

элементов
3.1. Умножение фототока
3.2. Преобразователи света на основе эффекта фотоумножения
3.3. Заключение
4. Постановка задачи
Глава 1. Экспериментальная часть
1.1. Экспериментальные методики
1.2. Технология изготовления тонких пленок и органических светоизлучающих диодов на основе комплексов цинка(П) с тетра-
дентатными основаниями Шиффа
1.2.1. Синтез комплексов цинка(Н) с тетрадентатными основаниями Шиффа

1.2.2. Технология изготовления тонких пленок комплексов цин-ка(Н)
1.2.3. Технология изготовления органических светоизлучающих диодов на основе комплексов цинка(П)
1.3. Технология изготовления органических светоизлучающих диодов на основе разнолигандных комплексов тербия(Ш)
Глава 2. Физические свойства и механизмы деградации электролюминесценции органических светоизлучающих диодов на основе комплексов цинка (II) с тстрадентатными основаниями Шиффа и разнолигандных комплексов тербия
2.1. Физические свойства комплексов цинка с тетрадентатными основаниями Шиффа. тонких пленок и органических светодиодов на их основе
2.1.1. Фотофизические свойства пленок и твердых образцов комплексов цинка(Н) с тетрадентатными основаниями Шиффа
2.1.2. Исследование топологии поверхностей пленок комплексов цинка(П) с тетрадентатными основаниями Шиффа. Влияние отжига и изменения скорости напыления
2.1.3. Оптимизация структуры органических светоизлучающих диодов на основе комплексов цинка(П) с тетрадентатными основаниями Шиффа
2.1.4. Электролюминесцентные свойства органических светоизлучающих диодов на основе комплексов цинка(П) с тетрадентатными основаниями Шиффа
2.2. Оптимизация структуры органических светоизлучающих диодов с комплексами тербия (III)

2.3. Процессы деградации органических светоизлучающих диодов
на основе комплексов цинка(П) с основаниями Шиффа
2.3.1. Деградация при временном отключении органических
светоизлучающих диодов. Обратимость начального спада электролюминесценции
2.3.2. Деградация при переменном напряжении питания
2.3.3. Влияние на начальный спад электролюминесценции ор-
ганических светоизлучающих диодов УФ подсветки и нагревания
2.3.4. Деградация фотолюминесценции тонких пленок комплексов цинка и тербия
2.3.5. Влияние условий приготовления на деградацию ЭЛ
2.4. Выводы ко второй главе
Глава 3. Тандемный двухдиодный усилитель-преобразователь
света
3.1. Особенности эффекта фотоумножения в тонких пленках пери-
ленового пигмента
3.1.1. Спектральная зависимость коэффициента фотоумножения от длинны волны возбуждающего света
3.1.2. Зависимость коэффициента умножения от приложенного напряжения
3.1.3. Процессы заполнения и опустошения ловушек и их вли-
яние на температурную зависимость коэффициента умножения
3.1.4. Роль мелких ловушек
3.1.5. Зависимость коэффициента умножения от интенсивности возбуждающего света

тока через структуру. После освещения структуры со стороны прозрачного, отрицательно смещенного ІТО -электрода, с противоположной стороны диода ПОЯВЛЯЛОСЬ зеленое излучение ОТ А3 с пиком ~ 520 нм, являвшееся результатом рекомбинации умноженного в а-ЗіС:Н тока электронов и дырок, инжектированных из золотого анода в А1рз через транспортный слой РБА. Гелий-неоновый и аргоновый лазеры были использованы в качестве источников входного красного (632 нм) и синего (488 нм) света. Выходное зеленое излучение от А1цз появлялось только в области освещения диода входными пучками (рис. 10. б). В отсутствие напряжения на исследуемой структуре красный свет гелий-неонового лазера (632 нм) был единственной компонентой света на выходе. А при поданном на структуру напряжении, таким образом, происходила апконверсия красного света в зеленый. Также синее излучение аргонового лазера могло быть преобразовано в излучение от А1рз, но уже с гораздо меньшей эффективностью преобразования. Кроме того, при наложении УФ излучения на часть области устройства, освещенной входным красным светом, выходной зеленый свет от Афз в этой части сильно подавлялся. Таким образом, устройство могло быть использовано как управляемый УФ подсветкой преобразователь изображения.
Аналогичные по принципу действия преобразователи света были получены с использованием органического фотоумножающего слоя Ме-РТС [77, 78]. Полностью органические преобразователи, имевшие структуру ІТО/РБА (50пт)/ А1цз(50пт) или 1ВиРЬ-РТС(50пт)/Ме-РТС(500пт)/Аи(20пт), могли преобразовывать входное излучение с Лп03б = 632 нм в выходное красное Аизл = 690 нм с эффективностью 40% (активный слой 1ВиРЬ-РТС) и в зеленое Аизл = 530 нм с эффективностью 2% (активный слой Афз) [77]. Большое влияние на эффективность преобразования оказывает высота потенциального барьера для инжскции электронов на границе фоточувстви-тельный/активный слой. Если этот барьер велик, то преобразователь имеет