Поляризационные свойства нелинейных когерентных откликов и возможности их использования в спектроскопии и для хранения и обработки информации

• Автор: Решетов, Владимир Александрович
• Шифр специальности: 01.04.21
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2005
• Место защиты: Тольятти
• Количество страниц: 265 с. : ил.

Глава I. Динамика атомной системы с вырожденными

уровнями во внешнем поле

1.1 Динамика атома с двумя вырожденными уровнями в заданном поле лазерного импульса
1.2 Динамика атома с частично разрешенной сверхтонкой структурой уровней в поле лазерного импульса

1.3 Динамика атомной системы под действием процессов релаксации

Глава II. Поляризационные свойства фотонного эха

2.1 Фотонное эхо на переходе Jъ-+ Ja

2.2 Фотонное эхо в магнитном поле

2.3 Некогерентное фотонное эхо

2.4 Фотонное эхо на уровнях с частично разрешенной сверхтонкой структурой

Глава III. Поляризационные свойства стимулированного фотонного эха

3.1 Стимулированное фотонное эхо на переходе ^ Долгоживущее эхо
3.2 Стимулированное фотонное эхо в магнитном поле
3.3 Трехуровневое и четырехуровневое стимулированные фотонные эхо
3.4 Стимулированное фотонное эхо на уровнях с частично разрешенной сверхтонкой структурой

3.5 Релаксационно-индуцированные стимулированные
фотонные эхо
Глава IV. Поляризационные свойства сверхизлучения
4.1 Основные уравнения
4.2 Поляризация сверхизлучения при накачке лазерным импульсом
4.3 Формы импульсов сверхизлучения
4.4 Сверхизлучение на переходах со сверхтонкой структурой
Глава V. Поляризационные свойства одноатомного мазера
5.1 Обобщенная модель Джейнса-Каммингса. Управляющее уравнение
5.2 Поляризационные свойства одноатомного мазера
5.3 Детектирование поля одноатомного мазера
Заключение
Приложение. Формулы суммирования
Список литературы

Список рисунков
1 Динамика населенностей резонансных атомных уровней
2 Динамика населенностей атомных уровней с частично разрешенной сверхтонкой структурой
3 Релаксация при наличии сверхтонкой структуры
уровней
4 Поляризация фотонного эха
5 Зависимость интенсивности фотонного эха от площадей возбуждающих импульсов
6 Зависимость поляризации фотонного эха от площадей возбуждающих импульсов
7 Зависимость угла поворота поляризации фотонного
эха в магнитном поле от площадей возбуждающих импульсов
8 Осцилляции интенсивности фотонного эха в магнитном поле
9 Зависимость степени поляризации фотонного эха от
напряженности магнитного поля
10 Реконструкция формы первого возбуждающего импульса
11 Запись информации с помощью долгоживущего стимулированного фотонного эха
12 Модифицированное стимулированное фотонное эхо.
Диаграмма уровней

Этот случай детально рассмотрен в разделе 1.1.
Второй случай, когда СТС обоих уровней полностью разрешена, реализуется, если частоты сверхтонкого расщепления обоих уровней, напротив, велики по сравнению со спектральной шириной лазерного импульса и с доплеровской шириной спектральной линии:
|Дад| » 1/Т , ки , а = а,Ь.
В этом случае динамика атома в лазерном поле описывается теми же уравнениями, что и в первом случае, если в них заменить электронные угловые моменты уровней р и Р на полные угловые моменты атома Д и Д соответственно, а приведенный матричный элемент с?( «7а р) оператора дипольного момента электронного перехода Р р заменить на приведенный матричный элемент с^(ДД) перехода Д —> Д.
Третий случай, когда СТС одного из уровней полностью разрешена, а СТС другого уровня полностью не разрешена, реализуется, если частоты сверхтонкого расщепления одного из уровней малы по сравнению со спектральной шириной лазерного импульса и с доплеровской шириной спектральной линии, а другого, напротив, -велики. Так, переход р -> Ра реализуется, если
|Дод| << 1 /Т > ки , |Дад| » 1 /Т ) ки , а переход Д -» Р реализуется, если
|Дд6д'| » 1/Т , ки , |Дод| « 1/Т , ки
Рассмотрим далее переходы р —> Ра, которые могут быть экспериментально осуществлены, например, в парах щелочных метал-