Магнитная структура накопителя электронов со встроенным сильнополевым генератором излучения

• Автор: Титкова, Ирина Викторовна
• Шифр специальности: 01.04.20
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Дубна
• Количество страниц: 172 с. : ил

Содержание
Введение

Глава 1. Характеристики синхротронного излучения из поворотных

магнитов и встроенных устройств накопительного кольца ДЭЛСИ

§1.1. Общее описание программы исследований на пучках синхротронного излучения накопителя ДЭЛСИ

§1.2. Синхротронное излучение из поворотных магнитов

§ 1.3. Синхротронное излучение из вигглеров и ондуляторов

Глава 2. Источник СИ - ДЭЛСИ

§2.1. Специфика накопительного кольца ДЭЛСИ

§2.2. Выбор магнитной структуры накопительного кольца ДЭЛСИ

§2.3. Рабочая точка
Г лава 3. Встроенные устройства накопительного кольца ДЭЛСИ и их влияние на линейную оптику
§3.1. Вигглер с магнитным полем 10 Тл для генерации синхротронного излучения
§3.2. Ондулятор для генерации синхротронного излучения
Глава 4. Динамическая апертура ДЭЛСИ
§4.1. Понятие динамической апертуры
§4.2. Динамическая апертура накопителя ДЭЛСИ без встроенных устройств
§4.3. Влияние нелинейностей вигглера на динамическую апертуру ДЭЛСИ
§4.4. Влияние нелинейностей ондулятора на динамическую апертуру ДЭЛСИ
§4.5. Регулировка связи бетатронных колебаний

Глава 5. Технические аспекты накопительного кольца ДЭЛСИ
§5.1. Коррекция замкнутой орбиты
§5.2. Канал транспортировки пучка из линейного ускорителя в накопительное кольцо
§5.3. Инжекция в накопительное кольцо
§5.4. Время жизни пучка
Заключение
Приложение 1
Приложение 2
Приложение 3
Приложение 4
Литература

Введение
Синхротроннеє излучение (СИ) релятивистских электронов (позитронов) находит широкое применение во многих областях науки. Его использование принципиально расширило возможности экспериментальных методов исследования в атомной и молекулярной физике, физике твердого тела, химии, в прикладных науках, таких как материаловедение, медицинская диагностика, микроэлементный анализ. Синхротронное излучение открыло возможности реализации принципиально новых технологий, таких как рентгеновская литография, ЬЮА-технологии и многих других [1].
По существующей классификации сегодня принято делить накопители -источники СИ на три поколения (рис. 1), хотя уже появились проекты источников СИ четвертого поколения. На первых источниках СИ - электрон-позитронных коллайдерах - исследования на выведенном синхротронном излучении проводились параллельно с экспериментами по физике высоких энергий. Второе поколение источников СИ составляют уже специализированные накопители, на них проводятся работы с излучением из поворотных магнитов. На таких источниках на первый план вышли вопросы оптимизации магнитных структур для получения малых эмиттансов с целью улучшения характеристик излучения. Третье поколение источников СИ характеризуется в первую очередь наличием встроенных устройств, их основное предназначение состоит в работе с квазимонохроматическим излучением из ондуляторов и миниондуляторов. Эти накопители формируют пучки электронов со сверхмалыми эмитгансами, в их структуре присутствуют длинные прямолинейные промежутки, а сама структура оптимизирована для эффективной работы встроенных устройств.

структуры, так как значения бета-функций в местах установки встроенных устройств связаны с выбором частот бетатронных колебаний.
ТВЛ-структура (triple-bend achromat)
ТВ A-структура показана на рис. 2.2. Добавление дополнительного поворотного магнита дает возможность менять набег фаз между краевыми магнитами от к до 2п путем изменения длины центрального магнита [61].
Дисперсия
Ахромат Рис.2.2. ТВА-структура
Минимальный эмиттанс в ТВА-структуре меньше, чем в DBA и равен [62]

” 36а/Г5 Jx в,
Для уменьшения эмиттанса, необходимо уменьшить дисперсию в центральном магните, что повлечет за собой присутствие в структуре сильных секступолъных линз. В ТВА-структуре силы секступольных линз в два-три раза выше, чем в ОВА-структурс с таким же эмиттансом. Кроме того, недостатком ТВА-сгруктуры является то, что при ее использовании периметр кольца возрастает.