Количественный анализ электростатического потенциала в кристаллах с различными типами химической связи (LiF,NaF,MgO и Ge) по данным прецизионной электронографии

• Автор: Лепешов, Григорий Геннадьевич
• Шифр специальности: 01.04.18
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 122 с. : ил.

Глава 1 Литературный обзор

1.1. Дифракция электронов на кристалле и се связь с электростатическим потенциалом

1.2. Экспериментальные методы, использующие для определения электростатического потенциала дифракцию электронов

1.3. Динамическое рассеяние электронов

1.3.1. Двухволновое приближение

1.3.2. Многоволновое приближение

1.4. Кристаллохимия и динамика решётки УР, ИаР, М§0 и вс

1.4.1 Структурные модели

1.4.2. Кристаллохимия бинарных кристаллов

1.4.2.1. Тепловые колебания атомов

1.4.2.2. Эффективные заряды в бинарных кристаллах

1.4.3 Кристаллохимия кристалла Се
Глава II. Прецизионные электронографнческие исследования УР, №Р, MgO и Се
2.1. Поликристалличсские пленки УР, №Р, MgO. Получение пленок, измерение дифракционных картин, вычисление структурных амплитуд
2.2. Поликристалличсские образцы Се. Препарирование, измерение дифракционных картин и вычисление структурных амплитуд
Глава III. Уточнение структурных моделей для УР, №Р, MgO и Се
3.1. Структурная к-модель для УР, ЫаР и МцО
3.2. Структурная мультипольная модель для Єє
Глава IV Количественный анализ электронной плотности и электростатического потенциала в У Р, ИаР, MgO и Се
4.1. Топологические характеристики электростатического потенциала
4.2. Распределение электростатического потенциала и электронной плотности с бинарных кристаллах
4.3. Распределение электростатического потенциала и электронной плотности в ковалентном кристалле ве
Глава V. Обсуждение результатов
5.1 Средний внутрикристаллический потенциал
5.2. Особенности распределения ЭСП в бинарных кристаллах
5.3. Особенности распределения ЭСП в кристаллах ве
Заключение
Основные результаты и выводы
Список литературы

Дифракция электронов высокой энергии (десятки кэВ и более) (ДЭВЭ) имеет существенные особенности, которые определяют её специфику [1-3]: сильное взаимодействие электронов с веществом и рассеяние на электростатическом потенциале объекта. С одной стороны, это обеспечивает возможность изучения тонких плёнок и поверхностных слоев, а также веществ, которые невозможно получить в объёме, достаточном для рентгеноструктурного анализа (например, редкие минералы). С другой стороны, это определяет ряд отличительных свойств ДЭВЭ от других дифракционных методов изучения структуры вещества. Среди них: быстрая сходимость рядов Фурье-потенциала, возможность наблюдать в одной дифракционной картине полный набор дифракционных интенсивностей, более уверенная локализация лёгких атомов в присутствии тяжёлых, насыщенность дифракционной картины динамическими эффектами при увеличении толщины кристалла. Последние расширяют возможности ДЭВЭ в плане диапазона структурных методов, наличия дополнительной структурно-физической информации в энергетическом спектре прошедших через объект и потерявших часть энергии дифракционных пучков.
Следует отметить ещё одно важное свойство дифракции электронов высокой энергии - чрезвычайно высокую (примерно в 1000 раз большую по сравнению с обычным рентгеновским излучением) интенсивность дифракционных картин, сравнимую с интенсивностью синхротронного излучения. Благодаря этому качеству ДЭВЭ, возможно исследование быстропротекающих процессов, таких, например, как фазовые переходы и процессы роста тонких плёнок или поверхностных слоёв. Важно то, что эксперимент

Интенсивность, OTIL ед
Рисунок 11. А) Экспериментальная кривая интенсивности для LiF с вычтенным фоном,