Исследование фотопроводимости и фото-ЭДС в ртутной шпинели

• Автор: Больных, Иван Константинович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2002
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 145 с. : ил

Содержание
Список используемых сокращений
Введение
ГЛАВА 1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
§ 1. Электропроводность, фотопроводимость и фото-ЭДС в полупроводниках
а. Электропроводность
б. Фотопроводимость
в. Фото-ЭДС
§ 2. Влияние магнитного упорядочения на электрические и оптические
свойства ферромагнитных полупроводников
§ 3. Энергетический спектр и особенности кинетики носителей заряда в
ферромагнитных полупроводниках
§ 4. Кристаллическая структура, магнитные и электрические свойства ртутной халькогенидной шпинели НдСг28в
а. Кристаллическая структура
б. Магнитные свойства
в. Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в ЩСг^в4
г. Оптические и фотоэлектрические свойства ЩСг28в
д. Модели зонной структуры соединений СёСг2Бе4 и ЩСг2Вв
§ 6. Выводы к первой главе
Г лава 2 Образцы, техника и методика эксперимента
§ 1. Образцы
§ 2. Методика измерения фотопроводимости и фото-ЭДС
а. Измерение фотопроводимости
б. Измерение фото-ЭДС
§ 3. Методика температурных и полевых исследований фотопроводимости и
фото-ЭДС
§ 4. Оптическая система и ее градуировка
§ 5. Методика спектральных исследований фотопроводимости и фото-ЭДС73 § 6. Об ошибках измерений

§ 7. Выводы ко второй главе
ГЛАВА 3. Влияние магнитного упорядочения на фотопроводимость и ФЭДС в HgCr2Se
§ 1. Аномалии температурных зависимостей фотопроводимости и
электропроводности
§ 2. Гигантское влияние внешнего магнитного поля на фотопроводимость в
HgCr2Se4 в области магнитного фазового перехода
§ 3. Влияние энергии фотонов падающего света на температурные
зависимости ФП и магнитофотопроводимости
§ 4. Связь температурных и полевых аномалий фотопроводимости с типом и
величиной проводимости образцов
§ 5. Аномалии температурной зависимости фото-ЭДС в области магнитного упорядочения
а. образцы р-типа
б. образцы п-типа
§ 6. Гигантское изменение фото-ЭДС во внешнем магнитном поле
§ 7. Обсуждение полученных результатов
§8. Выводы к третьей главе
Глава 4. Исследование спектральных зависимостей фотопроводимости и фото-ЭДС в HgCr2Se
§ 1. Спектральные зависимости фотопроводимости
а. Красный сдвиг длинноволнового края фотопроводимости при понижении температуры
б. Гигантское смещение длинноволнового края фотопроводимости в магнитном поле
в. Ширина запрещенной зоны соединения HgCr2Se4 и влияние магнитного поля на ширину запрещенной зоны
§ 2. Спектральные зависимости фото-ЭДС
§ 3. Оценка параметров носителей заряда
§ 4. Выводы к четвертой главе
Основные результаты и выводы
Список литературы
Список используемых сокращений
МП - магнитные полупроводники
ФМП - ферромагнитные полупроводники
ТП - темновая проводимость (электропроводность)
ФП - фотопроводимость
ФЭДС - фото-ЭДС
ФЭЭ - фотоэлектрические эффекты
ХХШ - хром халькогенидные шпинели
МС - магнитосопротивление
ГМС - гигантское магнитосопротивление

и его ближайшее окружение три Сг3+ и один Щ2+ — можно рассматривать как основную структурную единицу [79] (см. рис. 10). Направление А-Х является направлением пространственных диагоналей куба, а направление В-Х совпадает с ребром куба <100>. В идеальной структуре каждый В - катион в качестве ближайших соседей имеет 6 анионов на расстоянии а/4, 6 В - катионов на расстоянии ал/2/4 и 6 А - катионов на расстоянии а-Д 1/8 . А - катион имеет в первой координационной сфере 4 аниона на расстоянии ал/3/8, затем 12 В - катионов на расстоянии ал/3/4 .
Рис. 9. Структура одного из октантов кристаллической решетки ртутной
шпинели.
Рис. 10. Элементарная формульная единица ртутной шпинели.