Исследование поведения блоховских линий в доменной границе с поперечными связями во внешнем магнитном поле

• Автор: Алехин, Александр Алексеевич
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Саранск
• Количество страниц: 137 c. : ил

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Основные положения теории микромагнетизма

1.2. Доменные границы в магнитных пленках с параллельной анизотропией

1.2.1. Введение

1.2.2. Границы Нееля

1.2.3. Елоховские границы

1.2.4. Доменные границы с поперечными связями

ГЛАВА 2. НЕЕЛЕВСКАЯ ГРАНИЦА ЧЕРЕДУЮЩЕЙСЯ ПОЛЯРНОСТИ

• МОДЕЛЬ "СПЛОШНОЙ ГРАНИЦЫ»

2.1. Введение. Постановка задачи

2.2. Статические параметры доменной границы

2.3. Динамические параметры доменной границы
ГЛАВА 3. ДОМЕННАЯ ГРАНИЦА С ПОПЕРЕЧНЫМИ СВЯЗЯМИ
МОДЕЛЬ "РЕАЛЬНОЙ ГРАНИЦЫ"
,3.1. Энергия и структура круговой блоховской линии
3.2. Энергия и структура крестообразной блоховской линии и полос
3.3. Определение параметров равновесной структуры доменной границы
ГЛАВА 4. ДИНАМИКА КРУГОВОЙ БЛОХОВСКОЙ ЛИНИИ
4.1. Введение
4.2. Определение динамических параметров доменной границы

4.3. Резонансные свойства блоховских линий
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность работы. Тонкие ферромагнитные пленки находятся в настоящее время в центре внимания физики магнитных явлений. Изучение магнитных свойств этих пленок представляет как чисто научный, так и практический интерес. Существенной особенностью пленок является их прозрачность в широком диапазоне длин волн, что обеспечивает возможность исследования их свойств методами радио - и СВЧ - спектроскопии и оптическими методами. Последнее позволяет получить информацию об обменном взаимодействии, о распределении электронной плотности и т.д., что позволяет ожидать выяснения ряда важных вопросов физики твердого тела[*1] . Исследованиями последних лет была доказана возможность использования отдельного элемента магнитной структуры (домена или даже участка доменной границы) в качестве носителя информации в различных системах памяти для ЭВМ. Возможности использования в запоминающих устройствах (ЗУ)
[г-и].
границ с поперечными связями посвящено много работ Особенностью этих ЗУ является то, что хранение информации осуществляется не на доменах, а на доменных границах, что должно обеспечить большую плотность записи информации. Круговая блоховская линия (КБЛ) и перетяжка могут рассматриваться как единицы информации. В качестве "единицы" записанной информации может служить присутствие их, а в качестве "нуля" -их отсутствие в результате аннигиляции. Использование границ с поперечными связями в качестве элементов памяти должно обеспечить высокую скорость записи, большую плотность информации, а также значительно более низкую стоимость устройства в связи с использованием дешевого материала - пермаллоя. И важный шаг сделан совсем недавно. Создан и успешно испытан опыт-

vfO первого и второго участков с остальными участками границы и между собой.
s.=L О«’* С* £“]+ wte), Г»- и)
i-i
где слагаемые - энергия анизотропии, зеемановская, магнитостатическая, обменная энергия участков; i - номер участка. Выражение (in) удобнее переписать в несколько ином виде.
Для этого расщепим v/iej на две части и объединим их с собственными энергиями Ei и Ех первого и второго участков. Тогда выражение (%.X.I) кратко запишется Е0-Е[+Е'% . Разделив обе части этого выражения на величину площади ячейки (хм), получим:
й=ЕМ,' (ил)
i-i
В выражении введены коэффициенты Д ~^с/С и энергии
C>L~^+Su)+Ca)+^(J') » индекс С пробегает значения
^ «л
1,2.
Воспользовавшись известными выражениями для зеемановской энергии и энергии анизотропии и подставив в эти выражения распрвделение(1^_2.УЯ.)для суммы этих энергий, которую обозл«>
начим через 6*н получим следующее выражение:
С М={я и<№+ (cl-c„Yv;i+4(i-ci)(crb')(ji+ip-'].
Соответствующее выражение Qffij для второго участка получается из 0$ заменой di на dx , V* на Vx , С± на
Сх и Соо яа(-Соо) . Подставляя распределение (n.i.l) в выражение для обменной энергии и проделав несложные преобразования, для поверхностной плотности обменной энергии первого