Оптическая спектроскопия сильнокоррелированных соединений : монооксид меди и манганиты лантана

• Автор: Сухоруков, Юрий Петрович
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Екатеринбург
• Количество страниц: 291 с. : ил.

Список сокращений
Е МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ И ОБРАЗЦЫ
1.1. Методика измерения поглощения твердых тел
1.2. Методика измерения коэффициента зеркального отражения твердых тел при нормальном угле падения света
1.3. Методики измерения температурной зависимости пропускания и магнитопропускания твердых тел
1.4. Расчет погрешностей определения отражения и поглощения света.
1.5. Методика измерения эффекта Фарадея
1.6. Методика приготовления оптических поверхностей образцов
1.7. Объекты исследования
1.8. Технологии получения образцов
1.9. Выводы
2. ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ СиО
2.1. Краткая характеристика физических свойств СиО
2.2. Край фундаментального поглощения в монокристаллах СиО
2.3. Влияние радиационного облучения на край фундаментального поглощения СиО
2.4. Влияние магнитного упорядочения на край фундаментального поглощения СиО
2.5. Проявление корреляционных эффектов в области фундаментальной полосы СиО. Кластерная модель
2.6. Влияние облучения электронами и ионами Не+ на межзонные переходы в СиО
2.7. Аномалии оптического поглощения в области фундаментальной полосы при магнитных фазовых переходах в СиО

2.8. ИК спектры поглощения монооксида меди
2.9. Влияние облучения высокоэнергетическими частицами на центры зарядовой неоднородности в СиО
2.9.1. Облучение электронами
2.9.2. Облучение ионами Не+
2.9.3. Облучение ионами И+
2.9.4. Облучение нейтронами
2.10. Линейный дихроизм в необлученном и облученном СиО в ИК области спектра
2.11. Спектры зеркального отражения СиО
2.12. Особенности оптических свойств СиО как сильнокоррелированной системы и описание спектров в рамках теории эффективной среды
2.13 Выводы
3. ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ И МОНОКРИСТАЛЛОВ МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА
3.1. Краткая характеристика физических свойств манганитов лантана
3.2. Край фундаментального поглощения в монокристаллах манганита лантана
3.3. Спектры зеркального отражения и оптической проводимости манганитов лантана
3.4. Влияние магнитного упорядочения на спектры поглощения манганитов лантана
3.5. Центры зарядовой неоднородности в спектрах ИК-поглощения манганитов лантана
3.6. Оптическая индикация разделения фаз и оптический отклик на переход металл-изолятор в манганитах лантана
3.7. Эффект гигантского магнитопропускания в монокристалле манганита лантана
3.8. Особенности оптических свойств манганитов лантана как сильнокоррелированной системы

3.9. Выводы
4. ПРОЯВЛЕНИЕ НАНОСКОПИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОЙ СТРУКТУРЫ В ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВАХ ПЛЁНОК МАНГАНИТОВ ЛАНТАНА
4.1. Проявление неоднородностей в области фундаментальной полосы в спектре плёнок ЕахМпОз
4.2. Влияние изотоп-замещения ионов 1бО кислородом 180 на спектры поглощения плёнок (Ьао.эРгойолСао.зМпОз
4.3. Линейный дихроизм в плёнках манганитов, наведенный текстурой подложки
4.4. Выводы
5. ЭФФЕКТ ГИГАНТСКОГО МАГНИТОПРОПУСКАНИЯ И РАЗДЕЛЕНИЕ ФАЗ В ПЛЁНКАХ МАНГАНИТОВ С KMC
5.1. Эпитаксиальные плёнки ЕахМпОз с избытком и вакансиями лантана (0.83 5.2. Плёнки (ЬаьхРгДолСао.зМпОз с изовалентным легированием ионами

празеодима (0< хРг<1)
5.3. Плёнки LaMn03 легированные одновалентными ионами Ag+ и Na+
5.4. Роль интерфейса в плёнках с замещением Та'’ двухвалентными ионами Са2+и Sr2+

5.5. Плёнки с вариантной структурой
5.6. Влияние типа подложки на характерные температуры плёнок манга-

нитов лантана
91 Я
5.7. Спектры магнитопропускания плёнок манганитов лантана
5.8. Проявление электронных и спиновых неоднородностей в спектрах эф-

фекта Фарадея в плёнках La0.7Sro.3Mn03.s
5.9. Выводы

полупроводников и диэлектриков (например, [65; 66]). Температурное изменение края фундаментального поглощения в магнитных полупроводниках использовали для изучения влияния обменного взаимодействия на оптическую щель [67]. Влияние магнитного упорядочения на спектры примесного поглощения магнитных полупроводников исследовалось по изменению интенсивности ИК полос поглощения от температуры. До наших исследований работ о влиянии магнитного упорядочения на спектры поглощения монокристаллов СиО не было. В данном разделе для изучения взаимосвязи электронной и магнитной подсистем в монооксиде меди исследуется влияние магнитного упорядочения на край поглощения СиО.
В разделе 2.2 было показано, что изгиб при Т=212 К на кривой Её(Т) связан с появлением узкой полосы при 1.58 эВ на краю фундаментального поглощения СиО (вставка на рис. 2.4). Появление полосы происходит в области неколлинеарного АФМ упорядочения и при Т>Т№ сопровождается отклонением Е,{Т) от предсказываемой теорией Варшни (рис. 2.4). Качественное объяснение этой особенности получено в рамках кластерной модели для СиО. На рис. 2.8 представлены два варианта схемы энергетических уровней е„-дырки в базовом кластере [Си04]6 показывающих сложную структуру Ь 1%-еи перехода, формирующего край поглощения, и изменение структуры перехода при прохождении через температуры Нееля при Тш=213 К и ТН2=231 К. Используем схему рис. 2.8 для объяснения температурного поведения полосы 1.7 эВ - компоненты Ь^-еи перехода и появления тонкой структуры на краю поглощения при 212 К (вставка на рис. 2.2). В работе было показано, что наибольшей эффективностью переноса заряда обладают еи-дырки верхней ветви (е и) с ориентацией спина, противоположной ориентации спина исходной Ь^- дырки (состояние в на схеме рис. 2.8). С верхним уровнем связана относительно широкая полоса при 1.7 эВ, формирующая край фундаментального поглощения, а с нижним подуровнем еи - относительно узкая полоса. Появление сильного вклада межцепочечного Ь 1(,-е и-обмена при Т<ТМ1 приводит к увеличению энергии этого состояния на