+
Действующая цена700 499 руб.
Товаров:
На сумму:

Электронная библиотека диссертаций

Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО

Расширенный поиск

Влияние сильного s-d обмена на физические свойства манганитов и хромовых халькошпинелей

  • Автор:

    Абрамович, Анна Ивановна

  • Шифр специальности:

    01.04.11

  • Научная степень:

    Докторская

  • Год защиты:

    2004

  • Место защиты:

    Москва

  • Количество страниц:

    296 с. : ил.

  • Стоимость:

    700 р.

    499 руб.

до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы

ГЛАВА 1. НЕОДНОРОДНЫЕ МАГНИТНЫЕ СОСТОЯНИЯ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (анализ литературы)
1.1. Применение модели ,у-й обмена к магнитным полупроводникам
1.2. Теоретические модели, описывающие физические свойства
манганитов
ГЛАВА 2. СИНТЕЗ ОБРАЗЦОВ. ЭКПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ
2.1 Синтез образцов
2.1.1. Синтез халысохромитов меди
2.1.2. Кристаллографические свойства хромовых халькошпинелей
2.1.3. Кристаллическая структура и синтез манганитов редкоземельных металлов
2.1.4. Получение тонких пленок и их кристаллографические
свойства
2.2. Экспериментальные методики
2.2.1. Измерение магнитных характеристик
2.2.2. Измерение электро- и магнитосопротивления
2.2.3. Измерение теплового расширения и магнитострикции
ГЛАВА 3. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МАНГАНИТОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ, ОБУСЛОВЛЕННЫЕ СИЛЬНЫМ ОБМЕНОМ
3.1. Введение
3.2. Взаимосвязь магнитных, магнитоупругих и транспортных
свойств Ш].х8гхМп03 (х = 0.33, 0.45) манганитов
3.3. Колоссальное магнитосопротивление монокристалла
Ьа1/3Кс11/з8г1/зМпОз при комнатной температуре
3.4. Влияние зарядовоупорядоченной фазы на магнитные,
гальваномагнитные и магнитоупругие свойства Smi_xSrxMn03 манганитов
3.4.1. Магнитные свойства Smi_xSrxMn03 манганитов
3.4.2. Магнитоупругие свойства Sm].xSrxMn03 манганитов
3.4.3. Электрические и гальваномагнитные свойства Smi_xSrxMn03
манганитов
3.4.4. Нестабильность магнитоупругих свойств Smi_xSrxMn03
манганитов
3.4.5. Магнитокалорический эффект в Smo.4Sr0.6Mn03 манганите
3.4.6. Природа магнитоупругих и гальваномагнитных свойств
Smi.xSrxMn03 (х = 0.33, 0.40, 0.45) манганитов
3.5. Влияние параметра беспорядка на магнитные, электрические,
гальваномагнитные и магнитоупругие свойства Re0.55Sr0.45MnO3 (Re = Sm, Eu0.4oNd0.i5> Tbo.25Ndo.30) манганитов
3.6. Физические свойства европий содержащих манганитов
3.6.1. Неоднородное магнитное состояние в Euj.xAx Мп03
(А = Са, Sr; х = 0, 0.3)
3.6.2. Особенности физических свойств Eu0.55Sro.45Mn03 манганита
3.7. Влияние редкоземельного иона на физические свойства
манганитов
3.8. Выводы к главе
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ПОДЛОЖКИ НА МАГНИТНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНО-КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Lao.35Ndo.35Sro.3Mn03
4.1. Введение
4.2 Магнитные и электрические свойства монокристаллических
эпитаксиальных пленок Lao.35Ndo.35Sro.3Mn03
4.3. Природа колоссального магнитосопротивления
монокристаллических эпитаксиальных пленок
4.4. Выводы к главе
ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ХРОМОВЫХ ХАЛЫСОШПИНЕЛЕЙ, ОБУ СЛОВЛЕННЫЕ СИЛЬНЫМ ^ ОБМЕНОМ. ПОИСК МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ТОЧКАМИ КЮРИ ВЫШЕ КОМНАТНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ
5.1. Введение
5.2. Неоднородное магнитное состояние в системе твердых
растворов хСиСг2Б4-( 1-х)Си0.5А1о.5Сг284
5.3. Магнитные полупроводники с точками Кюри выше комнатной
температуры в системе твердых растворов СихМпі_хСг284
5.4. Выводы к главе
ГЛАВА 6. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ДОКАЗАТЕЛЬСТВА ФАЗОВЫХ ПЕРЕХОДОВ СПИНОВОЕ СТЕКЛО - ПАРАМАГНЕТИЗМ И СПИНОВОЕ СТЕКЛО - ДАЛЬНИЙ МАГНИТНЫЙ ПОРЯДОК В ХРОМОВЫХ ХАЛЬКОШПИНЕЛЯХ
6.1. Введение
6.2. Основные свойства полупроводниковых спиновых стекол и возвратных спиновых стекол системы твердых растворов хСиСг28Є4-(1-А')Сио.5МЄо.5Сг28Є4 (Ме = 1п, ва) и спинового
стекла Си2/зОеі/зСг284
6.3. Критическое поведение полупроводниковых спиновых стекол Си2/зОешСг284 и хСиСг28е4-(1-х)Си0і5Мео.5Сг28е4
(Ме = 1п, ва; 0 <х < 0.1)
6.3.1. Статический скейлинг
6.3.2. Динамический скейлинг
V*"
Рис. 2.9. Морфология поверхности пленок Ьао.з5№о 35810 зМпОз на подложках ггСЫУгОз) (а) и вгТЮз (Ь).
Рис. 2.10. а) Электронная микроскопия высокого разрешения области эпитаксиальной границы пленка - подложка пленки Ьао.з5^о.з58го.зМпОз на подложке ЬаАЮз.

Рекомендуемые диссертации данного раздела

Время генерации: 0.141, запросов: 967