Специфика доменного разбиения в ультрадисперсных пленках Fe, Ni, Fe-79Ni, (Fe,Co)80-Gd20 с микропоровой системой

• Автор: Тимакова, Галина Павловна
• Шифр специальности: 01.04.11
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Владивосток
• Количество страниц: 171 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Магнитная структура тонких пленок

и оптический фурье-анализ

1.2. Наведенная магнитная анизотропия ТФП

1.2.1. Перпендикулярная магнитная анизотропия

и причины ее возникновения

1.2.2. Наведенная магнитная анизотропия

аморфных пленок

1.3. Функция распределения частиц по размерам

в применении к процессам роста пленок

1.4. Разупорядочение и аморфные структуры

1.5. Дефекты и основные виды релаксационных процессов в тонких пленках
1.5.1. Особенности ультрадисперсных сред
1.6. Постановка задачи исследования
Глава II. ТЕХНОЛОГИЯ ПРЕПАРИРОВАНИЯ И МЕТОДИКИ
ИССЛЕДОВАНИЯ ТФП
2.1. Получение ультрадисперсных ТФП в различных стадиях ориентированного роста
2.1.1. Аморфные пленки системы переходной
металл - редкая земля
2.2. Когерентные методики исследования магнитной и дефектной структур кристаллического строения ТФП
2.2.1. Малоугловое рассеяние электронов
в применении к анализу К- и М-структур

2.2.2. Условия подобия электронных и оптических двумерных фурье-спектров
2.2.3. Когерентная фурье-олтика изображений кристаллических и магнитных структур ТФП
2.2.4. Математические характеристики для описания спектрального состава, анизотропии, корреляционных свойств
К- и М-спектров систем ТФП
Глава III. ПЛАНАРНАЯ НАВЕДЕННАЯ МАГНИТНАЯ АНИЗОТРОПИЯ И
РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОР В МЕЛКОДИСПЕРСНЫХ ТФП
3.1. Поведение ряби намагниченности в динамике
3.1.1. Дефокусирующий режим работы в лоренцевой микроскопии
3.1.2. Воздействие внешних магнитных полей на спектры ряби ТФП
3.2. Электронно-микроскопическое исследование кристаллической структуры мелкодисперсных пленок 9б , - 79Ж
3.2.1. Малоугловое рассеяние электронов в применении к анализу поровых систем мелкодисперсных ТФП
3.3. Влияние распределения пор на константу наведенной магнитной анизотропии Кц и характер магнитного спектра
3.3.1. Зависимость Кц^(д1) . Электронномикроскопическая оценка параметра анизотропии системы пор 96.
3.3.2. Лазернодифрактометрическая оценка 96

ГЛАВА ІУ. РЕГУЛЯРНАЯ МАГНИТНАЯ СТРУКТУРА И МНОГОФРАКЦИОННОСГЬ ПОРОВЫХ СИСТЕМ В УЛЬТРАДИСПЕРСНІЙ &, Жі, Зе-Л ТФП
4.1. Специфика доменного разбиения в ультрадисперсних пленках
4.2. Структурные предпосылки возникновения
регулярной магнитной структуры
4.5. Намагничивание ультрадисперсних пленок в
перпендикулярных полях
4.4. Особенности кристаллического строения ультрадисперсних лАІІ ТФП
4.4.Х. Структурные закономерности в ультрадисперсних монокристаллах
4.5. МУР электронов от ультрадисперсних пленок Сравнение с ДКФ в лазерной дифрактометрии
4.6. Корреляция кристаллических и магнитных структур
в спектральном представлении
Глава V. ОСОБЕННОСТИ СТРОЕНИЯ АМОРФНЫХ СТРУКТУР ПМ-РЗ
5.1. Фильтрация двумерных фурье-спектров и восстановление улучшенного изображения аморфных структур
5.2. Старение аморфных ТФП
5.5. Структурная мультиплетность аморфных пленок
ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ

сеяние на кристаллической решетке равен ~5.10“^рад. Если следить
О :
за структурными периодичностями - 10*10С00А, то пользуясь формулой Вулъфа-Бреггов, рассеяние электронов переместится в область еще меньших углов ~1{Г5-Ю“брад. Малоугловое рассеяние электронов, рентгеновских лучей представляет собой распределение интенсивностей рассеянного света, в геометрии которого отражается форма, распределение по размерам, а также взаимное пространственное расположение структурных элементов и их плотность ^69-701 •
Применяя метод малоуглового рентгеновского рассеяния, Фукс £37,95,106,107] в пленках различных материалов определил характеристики пористости в зависимости от температуры подложки, угла напыления, скорости осаждения, степени вакуума, а также при естественном и искусственном старении. Оказалось, что микропоры различной дисперсности имеют разную Чувствительность к воздействию старения, отжига, а также радиационного облучения.
Методика МУРа электронов. Малоугловое рассеяние электронов осуществляется специальным режимом работы электронного микроскопа -100В. Анализ распределения структурных неоднородностей размером от 10 до Ю3А, присутствующих в мелко- и ультрадисперсных средах, требует значительного увеличения эффективной длины колонны микроскопа А , определяемой соотношением ^14,124-127] :
/ = ^0* У, * Уг (2.1)
где - фокусное расстояние объективной линзы ( =1,6 мм),
У У- увеличения проекционной и промежуточной линз соответственно.
Ь 2.
Регулируя токи проекционной и промежуточной линз, можно разгонять эффективную длину колонны микроскопа от 1.6 до 52 м. Следует отметить, что МУР не зависит от внутреннего строения структурных неоднородностей и не позволяет установить разницу между кристаллическими и аморфными частицами. В связи с этим малоугловое