Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP

• Автор: Логинова, Татьяна Николаевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 192 c. : ил

ОБОЗНАЧЕНИЯ
ГЛАВА I. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКГР0ННЫХ ЛОВУШКАХ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ. ПАРАМЕТРЫ ФОСФИДА ГАЛЛИЯ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ЕГО ОСНОВЕ
1.1. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках. Эксперимент
1.2. Экситоны, связанные на изоэлектронных ловушках в полупроводниках. Теория
1.3. Основные параметры фосфида галлия и
твердых растворов на его основе
Вывод ы
ГЛАВА 2. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ СОСТОЯНИЯ И ВОЛНОВЫЕ
ФУНКЦИИ ЭКСИТОНОВ, СВЯЗАННЫХ НА ИЗОЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРАХ В МНОГОДОЛИННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ВЫРОЖДЕННЫМИ ЗОНАМИ
2.1. Выбор одночастичного базиса и вывод уравнения Шредингера для связанного
экситона
2.2. Волновые функции и энергетический спектр связанных экситонов
2.2.1. Волновая функция связанного экситона в случае ионизованного состояния электрона (непрерывный
спектр связанного экситона)
2.2.2. Связанные состояния электрона (дискретный спектр экситона)
2.2.3. Волновая функция электрона, связанного на изоэлектронном центре
в случае вырожденных зон
Выводы

ГЛАВА 3. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА ИЗОЭЛЕКТРОННЫХ
ЦЕНТРАХ В ФОСФИДЕ ГАЛЛИЯ
3.1. Классификация состояний экситонов,
связанных на изоэлектронных центрах в ОаР
3.2. Изоэлектронный акцептор-азот вСоР
3.2.1. Волновая функция связанного электрона и долино-орбитальное расщепление
3.2.2. Акцептороподобные состояния экситона, связанного на азоте
в воР
3.3. Изоэлектронный донор-висмут в СаР
3.4. Построение гамильтониана экситона Г8&
методом инвариантов
Выводы
ГЛАВА 4. РАСЧЕТ ОПТИЧЕСКОГО ПОГЛОЩЕНИЯ НА СВЯЗАННЫХ
ЭКСИТОНАХ В МНОГОЗОННОЙ МОДЕЛИ
4.1. Оптическое поглощение при переходах в состояния дискретного и непрерывного спектров связанных экситонов (первый
порядок теории возмущений)
4.2. Оптическое поглощение на связанных экситонах с учетом электрон-фононного взаимодействия (второй порядок теории возмущений)
4.3. Оптическое поглощение на связанных
экситонах в фосфиде галлия
Выводы
ГЛАВА 5. ЭКСИТОНЫ, СВЯЗАННЫЕ НА И30ЭЛЕКТР0НН0Й ЛОВУШКЕ АЗОТА, В ТВЕРДЫХ РАСТВОРАХ

5,1. Экспериментальная установка и методика измерения спектров фотоответа полупроводников в области связанных экситонов

5,1.1. Экспериментальная установка
5.1.2* Методика приготовления и
характеристики образцов
5.2. Спектральные зависимости фотоответа р-п-переходов на основе 6ойбі_/Рс , легированных азотом
5.3« Двухуровневая модель для экситонов,
связанных на азоте в Go/k^P*
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Первые два члена в этой системе описывают свободную электронно-дырочную пару, третий член - кулоновское взаимодействие между электроном и дыркой, экранировка которого учитывается введением статической диэлектрической проницаемости
сам рассеяния электрона и дырки на короткодействующем потенсел, характеризующих состояние экситона.
Как следует из уравнения (2.26), наличие короткодействующего потенциала изоэлектронного центра приводит к тому, что перемешиваются не только состояния с различным волновым вектором, как в случае кулоновского потенциала, но и состояния, связанные с различными подзонами в зоне проводимости и валентной зоне. Однако, в практически важных случаях всегда можно выделить ближайшие к экситонному уровню эквивалентные долины, как в зоне проводимости, так и валентной зоне, для которых задача может быть решена "точно", а подмешивание остальных далеких зон учесть по теории возмущений. В этом приближении мы и будем решать задачу для связанного экситона.
Четвертый и пятый члены соответствуют процесциале примеси, I - представляет совокупность квантовых чи-